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RB080L-30 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RB080L-30은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RB080L-30 자료 제공

부품번호 RB080L-30 기능
기능 Schottky Barrier Diodes
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RB080L-30 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RB080L-30 데이터시트, 핀배열, 회로
Schottky Barrier Diode
RB080L-30
Applications
General rectification
Dimensions (Unit : mm)
Features
1)Small power mold type. (PMDS)
2)High reliability
3)Low VF
Structure
Silicon epitaxial planer
2.6±0.2
21
①②
1.5±0.2
0.1±0.02
    0.1
2.0±0.2
ROHM : PMDS
JEDEC : SOD-106
① ② year week factory
Taping dimensions (Unit : mm)
2.0 0.05
4.0 0.1
Land size figure (Unit : mm)
2.0
PMDS
Structure
1.55 0.05
0.3
2.9 0.1
4.0 0.1
1.55
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Reverse voltage (repetitive)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current (*1)
VRM
VR
Io
30
30
5
V
V
A
Forward current surge peak (60Hz1cyc)
Junction temperature
IFSM
Tj
70
150
A
C
Storage temperature
Tstg 40 to 150
C
(*1)Alumina substrate at the time of assemble 180° Half Sine Wave, Tc=100°C MAX.
Electrical characteristics (Ta=25C)
Parameter
Symbol Min. Typ. Max.
Forward voltage
Reverse current
VF -
IR -
- 0.51
- 150
Unit
V IF=5.0A
μA VR=30V
Conditions
2.8MAX
www.rohm.com
©2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/4
2011.12 - Rev.B




RB080L-30 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RB080L-30
 
Data Sheet
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
D.C.
D=1/2
Sin(θ180)
5 10 15 20 25 30
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-PR CHARACTERISTICS
30
No break at 30kV
25
20
15
10 AVE:13.2kV
5
0 C=200pF
R=0
C=150pF
R=330
ESD DISPERSION MAP
10
9
D.C.
8
7
6 D=1/2
0A Io
0V
t
VR
D=t/T
T
VR=15V
Tj=150°C
5
4 Sin(θ180)
3
2
1
0
0 25 50 75 100 125 150
CASE TEMPERATURE:Tc(°C)
DERATING CURVE (Io-Tc)
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
4/4
2011.12 - Rev.B

4페이지










RB080L-30 전자부품, 판매, 대치품
Datasheet
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liable for an y damages, expenses or losses incurred b y you or third parties resulting from inaccur acy or errors of or
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Notice – WE
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