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TSUS5402 데이터시트 PDF




Vishay Siliconix에서 제조한 전자 부품 TSUS5402은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TSUS5402 자료 제공

부품번호 TSUS5402 기능
기능 (TSUS5400 - TSUS5402) Infrared Emitting Diode
제조업체 Vishay Siliconix
로고 Vishay Siliconix 로고


TSUS5402 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TSUS5402 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.net
TSUS5400, TSUS5401, TSUS5402
Vishay Semiconductors
Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs
94 8390
DESCRIPTION
TSUS5400 is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs
technology molded in a blue-gray tinted plastic package.
FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): Ø 5
• Leads with stand-off
• Peak wavelength: λp = 950 nm
• High reliability
• Angle of half intensity: ϕ = ± 22°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Lead (Pb)-free component in accordance
RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
with
APPLICATIONS
• Infrared remote control and free air transmission systems
with low forward voltage and small package requirements
• Emitter in transmissive sensors
• Emitter in reflective sensors
PRODUCT SUMMARY
COMPONENT
TSUS5400
TSUS5401
TSUS5402
Ie (mW/sr)
14
17
20
Note
Test conditions see table “Basic Characteristics”
ϕ (deg)
± 22
± 22
± 22
λP (nm)
950
950
950
ORDERING INFORMATION
ORDERING CODE
TSUS5400
TSUS5401
TSUS5402
Note
MOQ: minimum order quantity
PACKAGING
Bulk
Bulk
Bulk
REMARKS
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk
MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
TEST CONDITION
Reverse voltage
Forward current
Peak forward current
Surge forward current
Power dissipation
tp/T = 0.5, tp = 100 µs
tp = 100 µs
Junction temperature
Operating temperature range
Storage temperature range
Soldering temperature
t 5 s, 2 mm from case
Thermal resistance junction/ambient J-STD-051, leads 7 mm, soldered on PCB
Note
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
SYMBOL
VR
IF
IFM
IFSM
PV
Tj
Tamb
Tstg
Tsd
RthJA
tr (ns)
800
800
800
PACKAGE FORM
T-1¾
T-1¾
T-1¾
VALUE
5
150
300
2.5
170
100
- 40 to + 85
- 40 to + 100
260
230
UNIT
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K/W
www.vishay.com
284
For technical questions, contact: [email protected]
Document Number: 81056
Rev. 1.6, 05-Sep-08




TSUS5402 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.net
TSUS5400, TSUS5401, TSUS5402
Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, Vishay Semiconductors
950 nm, GaAs
1.25
1.0
0.75
0.5
0.25
0
900
IF = 100 mA
950
1000
94 7994
λ - Wavelength (nm)
Fig. 9 - Relative Radiant Power vs. Wavelength
PACKAGE DIMENSIONS in millimeters
0° 10° 20°
30°
40°
1.0
0.9 50°
0.8 60°
0.7 70°
8
0.6 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6
94 7999
Fig. 10 - Relative Radiant Intensity vs. Angular Displacement
AC
R 2.49 (sphere)
1.2
+ 0.2
- 0.1
6.544-5258.01-4
Issue: 4; 23.04.98
96 12119
0.5
+ 0.15
- 0.05
2.54 nom.
Area not plane
5 ± 0.15
0.5
+ 0.15
- 0.05
technical drawings
according to DIN
specifications
Document Number: 81056
Rev. 1.6, 05-Sep-08
For technical questions, contact: [email protected]
www.vishay.com
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