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2SD0968A 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SD0968A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SD0968A 자료 제공

부품번호 2SD0968A 기능
기능 Silicon NPN epitaxial planar type
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


2SD0968A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SD0968A 데이터시트, 핀배열, 회로
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Transistors
2SD0968A (2SD968A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency driver amplification
Complementary to 2SB0789A (2SB789A)
4.5±0.1
1.6±0.2
Unit: mm
1.5±0.1
Features
High collector-emitter voltage (Base open) VCEO
Large collector power dissipation PC
Mini power type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine packing
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation *
Junction temperature
Storage temperature
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
120
120
5
1
0.5
1
150
55 to +150
V
V
V
A
A
W
°C
°C
Note) *: Print circuit board: Copper foil area of 1 cm2 or more, and the board
thickness of 1.7 mm for the collector portion.
1
0.4±0.08
1.5±0.1
23
0.5±0.08
0.4±0.04
3.0±0.15
45˚
Marking Symbol: V
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MiniP3-F1 Package
Electrical Characteristics Ta = 25°C ± 3°C
Parameter
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Forward current transfer ratio *1
Collector-emitter saturation voltage *1
Base-emitter saturation voltage *1
Transition frequency
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
Symbol
VCEO
VEBO
hFE1 *2
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
Cob
Conditions
IC = 100 µA, IB = 0
IE = 10 µA, IC = 0
VCE = 10 V, IC = 150 mA
VCE = 5 V, IC = 500 mA
IC = 500 mA, IB = 50 mA
IC = 500 mA, IB = 50 mA
VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Min
120
5
130
50
Typ Max
330
0.2 0.6
0.85 1.20
120
20
Unit
V
V
V
V
MHz
pF
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Rank
R
S
hFE1 130 to 220 185 to 330
Publication date: December 2003
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
SJC00202DED
1





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