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FDS6673BZ 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS6673BZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDS6673BZ 자료 제공

부품번호 FDS6673BZ 기능
기능 P-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS6673BZ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS6673BZ 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
January 2006
FDS6673BZ
P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30V, -14.5A, 7.8m
General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advanced Power Trench process that
has been especially tailored to minimize the on-state
resistance.
This device is well suited for Power Management and
load switching applications common in Notebook
Computers and Portable Battery Packs.
Features
„ Max rDS(on) = 7.8mΩ, VGS = -10V, ID = -14.5A
„ Max rDS(on) = 12mΩ, VGS = -4.5V, ID = -12A
„ Extended VGS range (-25V) for battery applications
„ HBM ESD protection level of 6.5kV typical (note 3)
„ High performance trench technology for extremely low
rDS(on)
„ High power and current handling capability
„ RoHS compliant
DD
D
D
SO-8
S SSG
5
6
7
8
4
3
2
1
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDS Drain to Source Voltage
VGS Gate to Source Voltage
ID
Drain Current -Continuous
-Pulsed
(Note1a)
Power Dissipation for Single Operation
(Note1a)
PD (Note1b)
(Note1c)
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature
Ratings
-30
±25
-14.5
-75
2.5
1.2
1.0
-55 to 150
Units
V
V
A
A
W
°C
Thermal Characteristics
RθJA
RθJC
Thermal Resistance , Junction to Ambient (Note 1a)
Thermal Resistance , Junction to Case (Note 1)
50 °C/W
25 °C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS6673BZ
Device
FDS6673BZ
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6673BZ Rev. B
1
www.fairchildsemi.com
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FDS6673BZ pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet.co.kr
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
10
8
6 VDD = -10V VDD = -15V
VDD = -20V
4
6000
1000
Ciss
Coss
Crss
2
0
0 20 40 60 80 100
Qg, GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
f = 1MHz
VGS = 0V
100
0.1
1 10 30
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
1000
100
10
1
0.1
0.01
1E-3
1E-4
0
TJ = 150oC
TJ = 25oC
5 10 15 20 25 30 35
-VGS(V)
Figure 9. Ig vs VGS
40
10
TJ = 125oC
TJ = 25oC
1
10-2
10-1 100 101 102
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)
103
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
16
12
VGS = -10V
8 VGS = -4.5V
4
0
25 50 75 100 125 150
TA, AMBIENT TEMPERATURE(oC)
Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
100
10us
10 100us
1ms
1 1ms
100ms
0.1 OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY rDS(on)
0.001.1
1
SINGLE PULSE
TJ=MAX RATED
TA=25oC
10
1s
DC
100
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area
FDS6673BZ Rev. B
4 www.fairchildsemi.com
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