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JCS8N65B 데이터시트 PDF




JILIN SINO-MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 JCS8N65B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JCS8N65B 자료 제공

부품번호 JCS8N65B 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
로고 JILIN SINO-MICROELECTRONICS 로고


JCS8N65B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JCS8N65B 데이터시트, 핀배열, 회로
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N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS8N65B
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID 7.0 A
VDSS
60V
Rdson(@Vgs=10V) 1.
Qg 25 nC
封装 Package
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrss (典型值 16pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 16pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS8N65CB-O-C-N-B
JCS8N65FB-O-F-N-B
JCS8N65CB
JCS8N65FB
封装
Package
TO-220C
TO-220MF
无卤素
Halogen
Free
否 NO
否 NO
包 装 器件重量
Packaging Device Weight
条管 Tube 2.15 g(typ)
条管 Tube 2.20 g(typ)
版本:201011A
1/10
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JCS8N65B pdf, 반도체, 판매, 대치품
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R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
td(on)
tr
VDD=300V,ID=7A,RG=25
note 45
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
Qg
Qgs
Qgd
VDS =480V ,
ID=7A
VGS =10V note 45
JCS8N65B
- 30 70 ns
- 80 170 ns
- 125 260 ns
- 60 110 ns
- 25 35 nC
- 6.0 - nC
- 10 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS - - 7.5 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM - - 30 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V, IS=7.0A
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr VGS=0V, IS=7.0A
- 315 - ns
Qrr
dIF/dt=100A/μs (note 4)
- 2.6 - μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
最大
符号
单位
Max
Symbol
Unit
JCS8N65CB JCS8N65FB
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.85
2.6 /W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5 /W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=19.5mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 ,起始
结温 TJ=25
3ISD 7.0A,di/dt 300A/μs,VDDBVDSS,起始结温
TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1 Pulse width limited by maximum junction
temperature
2L=19.5mH, IAS=7.0A, VDD=50V, RG=25 ,Starting
TJ=25
3 ISD 7.0A,di/dt 300A/μs,VDDBVDSS, Starting
TJ=25
4Pulse TestPulse Width 300μs,Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature
版本:201011A
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JCS8N65B 전자부품, 판매, 대치품
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R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS8N65CB
JCS8N65B
Transient Thermal Response Curve
For JCS8N65FB
版本:201011A
7/10
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