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TLP705 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TLP705은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TLP705 자료 제공

부품번호 TLP705 기능
기능 Industrial Inverter IGBT/Power MOS FET Gate Drive
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


TLP705 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TLP705 데이터시트, 핀배열, 회로
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Preliminary
TOSHIBA Photocoupler GaAAs IRED + Photo IC
TLP705
Plasma Display Panel.
Industrial Inverter
IGBT/Power MOS FET Gate Drive
4.58±0.25
654
TLP705
Unit in mm
The TOSHIBA TLP705 consists of a GaAAs light emitting diode and a
integrated photodetector.
This unit is 6-lead SDIP package. TLP705 is 50% smaller than 8PIN DIP
and has suited the safety standard reinforced insulation class.
So mounting area in safety standard required equipment can be reduced.
TLP705 is suitable for gate driving circuit of IGBT or power MOS FET.
Especially TLP705 is capable of “direct” gate drive of lowr Power IGBTs.
Peak output current
: ±0.45 A (max)
Operating frequency
: 250kHz (max)
Guaranteed performance over temperature : 40 to 100°C
Supply current
Power supply voltage
Threshold input current
Switching time (tpLH / tpHL)
Common mode transient immunity
: 3mA (max)
: 10 to 20 V
: IFLH = 8 mA (max)
: 200 ns (max)
: 10 kV/µs
Isolation voltage
: 5000 Vrms
UL Recognized
Construction Mechanical Rating
:UL1577, File No.E67349
7.62 mm pich
standard type
10.16 mm pich
TLPXXXF type
Creepage Distance
Clearance
Insulation Thickness
7.0 mm (Min)
7.0 mm (Min)
0.4 mm (Min)
8.0 mm (Min)
8.0 mm (Min)
0.4 mm (Min)
123
7.62±0.25
1.27±0.2
0.4±0.1
1.25±0.25
10.0max
TOSHIBA
11-5J1
Weight 0.26 g (t y p .)
11-5J1
Truth Table
Input
H
L
LED
ON
OFF
Tr1
ON
OFF
Tr2
OFF
ON
Output
H
L
Pin Configuration (top view)
1
2
3 SHIELD
6 1: Anode
2: NC
3: Cathode
5 4: GND
5: VO (output)
4 6: VCC
1
Schematic
IF
1+
VF
3
ICC 6
(Tr1)
VCC
IO 5
(Tr2)
VO
SHIELD
4
GND
A 0.1 µF bypass capacitor must be connected
between pin 6 and 4. (See Note 6)
2004-10-19
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TLP705 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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TLP705
Switching Characteristics (Ta = −40 to 100°C, unless otherwise specified)
Characteristics
Propagation delay time
Propagation delay time
LH
HL
LH
HL
Propagation delay difference
between any two parts or channels
Pulse Width Distortion
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
tpLH
tpHL
tpLH
tpHL
tpsk
PWD
(tpHL-tpLH)
VCC = 20 V
Rg = 30
7 Cg = 1 nF
f=250kHz
Duty Cycle
=50%
Ta= 25
IF = 0 10 mA
Ta= 25
IF = 100 mA
Ta= -40 to100
IF = 0 10 mA
Ta= -40 to100
IF = 10 0 mA
Ta= -40 to100
IF = 10 mA
Ta= -40 to100
IF = 10 mA
Min
70
70
50
50
-90
-65
Typ.* Max Unit
95 170
105 170
200
200
ns
90
65
Output rise time (10-90%)
tr
IF = 0 10 mA

Output fall time (90-10%)
Common mode transient immunity
at hight level output
Common mode transient immunity
at low level output
tf
CMH
CML
VCM =
8 1000Vp-p
VCC = 20 V
Ta = 25°C
IF = 10 0 mA
IF = 10 mA
VO (min) = 16 V
IF = 0 mA
VO (max) = 1 V
10000
10000
V/µs
*: All typical values are at Ta = 25°C
Test Circuit 1: IOPH
1
IF
6
V6-5
A IOPH
VCC
34
Test Circuit 2: IOPL
16
IOPL
A
VCC
V5-4
34
Test Circuit 3: VOH
1 6 VOH
V
IF
34
VCC
Test Circuit 4: VOL
16
VF
3
VOL
V
4
VCC
4 2004-10-19
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