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2SB949 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SB949은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SB949 자료 제공

부품번호 2SB949 기능
기능 Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


2SB949 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SB949 데이터시트, 핀배열, 회로
Power Transistors
2SB949, 2SB949A
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
For power amplification and switching
Complementary to 2SD1275 and 2SD1275A
10.0±0.2
5.5±0.2
Unit: mm
4.2±0.2
2.7±0.2
s Features
q High foward current transfer ratio hFE
q High-speed switching
q Full-pack package which can be installed to the heat sink with
one screw
s Absolute Maximum Ratings (TC=25˚C)
Parameter
Symbol
Ratings
Unit
Collector to 2SB949
base voltage 2SB949A
VCBO
–60
–80
V
φ3.1±0.1
1.3±0.2
1.4±0.1
0.8±0.1
0.5 +0.2
–0.1
2.54±0.25
Collector to 2SB949
emitter voltage 2SB949A
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power TC=25°C
dissipation
Ta=25°C
Junction temperature
Storage temperature
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
–60
–80
–5
–4
–2
35
2
150
–55 to +150
s Electrical Characteristics (TC=25˚C)
V
V
A
A
W
˚C
˚C
5.08±0.5
123
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TO–220 Full Pack Package(a)
Internal Connection
C
B
E
Parameter
Symbol
Conditions
min typ max Unit
Collector cutoff
2SB949
current
2SB949A
Collector cutoff
2SB949
current
2SB949A
Emitter cutoff current
Collector to emitter 2SB949
voltage
2SB949A
ICBO
ICEO
IEBO
VCEO
VCB = –60V, IE = 0
VCB = –80V, IE = 0
VCB = –30V, IB = 0
VCB = –40V, IB = 0
VEB = –5V, IC = 0
IC = –30mA, IB = 0
–1
mA
–1
–2
mA
–2
–2 mA
–60
V
–80
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
hFE1
hFE2*
VBE
VCE(sat)
fT
ton
tstg
tf
VCE = –4V, IC = –1A
VCE = –4V, IC = –2A
VCE = –4V, IC = –2A
IC = –2A, IB = –8mA
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz
IC = –2A, IB1 = –8mA, IB2 = 8mA,
VCC = –50V
1000
2000
10000
–2.8 V
–2.5 V
20 MHz
0.4 µs
1.5 µs
0.5 µs
*hFE2 Rank classification
Rank
Q
P
hFE2 2000 to 5000 4000 to 10000
1





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