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부품번호 | 2SC1251 기능 |
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기능 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | Advanced Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
2SC1251
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The 2SC1251 is a Common Emitter
Device Designed for High Linearity
Class A Amplifiers up to 2.0 GHz.
FEATURES INCLUDE:
• Direct Replacement for NE74020
• High Gain - 10 dB min. @ 1.0 GHz
• Gold Metalization
MAXIMUM RATINGS
IC 300 mA
VCB
PDISS
TJ
TSTG
θJC
45 V
5.3W @ TC = 25 OC
-65 OC to +200 OC
-65 OC to +150 OC
33 OC/W
PACKAGE STYLE .204 4L STUD
1 = COLLECTOR 2 & 4 = EMITTER
3 = BASE
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
TEST CONDITIONS
BVCEO
IC = 10 mA
BVCBO
IC = 10 mA
BVEBO
IE = 1.0 mA
hFE
VCE = 5.0 V
IC = 100 mA
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
25
45
3.0
20 200
UNITS
V
V
V
---
COB
VCB = 15 V
f = 1.0 MHz
3.0 pF
PG
P1dB
VCE = 15 V
IC = 100 mA
POUT = 0.5 W
f = 1000 MHz
13
+27
+29
dB
dBm
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SC1251 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
2SC1252 | 2SC1252 | Advanced Semiconductor |
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