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BU104 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BU104
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고 


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BU104 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BU104
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 150V(Min.)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2.5V(Max.)@ IC= 7A
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflexion output stage of B/W
TV receivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VCEX
Collector-Emitter Voltage VBE= -5V
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak Repetitive
IBB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ TC= 25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
400 V
150 V
400 V
10 V
7A
15 A
3A
85 W
200
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
MAX UNIT
2.0 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/






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