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BU112 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BU112
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BU112 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
BU112
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Voltage-
:VCEX(SUS) = 550V(Min.)
·Collector Current- IC= 10A
APPLICATIONS
·Designed for deflection circuits applications in color TV
receivers fitted with 90kinescope.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Emitter Voltage
550 V
VCEX
Collector-Emitter Voltage VBE= -5V
550
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
10 V
IC Collector Current-Continuous
10 A
IBB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
4A
60 W
200
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
2.9 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/






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