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부품번호 | BU706DF 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BU706DF
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 700V(Min)
·High Switching Speed
·Built-in Integrated Diode
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits of color TV
receivers and line operated switch-mode applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES
Collector- Emitter Voltage VBE=0
1500
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
700 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
8A
IBB Base Current-Continuous
3A
IBM Base Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
5A
32 W
150 ℃
-65~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Case
3.95 ℃/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient 35 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BU706DF.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BU706D | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
BU706DF | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
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