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BUV10 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BUV10
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고 



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BUV10 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV10
DESCRIPTION
·High Switching Speed
·High Current Capability
APPLICATIONS
·Designed for high current,high speed,high power applications.
Absolute maximum ratings(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VCBO
VCEX
VCER
VCEO
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
VBE= -1.5V
Collector-Emitter Voltage
RBE= 100Ω
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
IBB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE UNIT
160 V
160 V
140 V
125 V
7V
25 A
30 A
6A
150 W
200
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.0 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/






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