PDF BUV10 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	BUV10
Descripción	Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes	Inchange Semiconductor
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No Preview Available ! www.DataSheet.co.kr INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification BUV10 DESCRIPTION ·High Switching Speed ·High Current Capability APPLICATIONS ·Designed for high current,high speed,high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VCBO VCEX VCER VCEO Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage VBE= -1.5V Collector-Emitter Voltage RBE= 100Ω Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage IC Collector Current-Continuous ICM Collector Current-Peak IBB Base Current-Continuous PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ Tj Junction Temperature Tstg Storage Temperature Range VALUE UNIT 160 V 160 V 140 V 125 V 7V 25 A 30 A 6A 150 W 200 ℃ -65~200 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case MAX UNIT 1.0 ℃/W isc Website：www.iscsemi.cn Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/ 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
BUV10	Silicon NPN Power Transistor	Inchange Semiconductor
BUV10N	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	Seme LAB
BUV11	20 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 150 WATTS	Motorola Inc
BUV11	SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor	ON Semiconductor

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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