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BUV37 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BUV37
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BUV37 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV37
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 400V(Min.)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 2.0V(Max.)@ IC= 10A
APPLICATIONS
·Designed for use in automotive ignition circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
600 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
400 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
8V
IC Collector Current- Continuous
15 A
ICM Collector Current-Peak
30 A
IBB Base Current - Continuous
Collector Power Dissipation
PC @TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
4A
100 W
150
-65~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 1.25 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/






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