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BUV39 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BUV39
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BUV39 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUV39
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 7.5A
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for high current, high speed, high power
applications.
Absolute maximum ratings(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VCEV
Collector-Emitter Voltage
VBE=-1.5V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
ICM Collector Current-Peak
IBB Base Current-Continuous
IBM Base Current- Peak
Collector Power Dissipation
PC @TC=25
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
VALUE UNIT
160 V
90 V
7V
25 A
45 A
6A
9A
120 W
200
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Thermal Resistance,Junction to Case 1.46 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/






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