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BU105 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BU105
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BU105 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BU105
DESCRIPTION
·High Voltage-VCER= 1500V(Min.)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 5.0V(Max.)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS
·Designed for use in line operated B&W(19 and 20 inch 110
deflection circuits ) or color ( 11 and 14 inch 90deflection
circuits TV receivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
VCER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage RBE= 100Ω
1500
1500
V
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
750 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @TC= 90
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
2.5 A
10 W
115
-65~115
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.5 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/






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