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부품번호 | BU105 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BU105
DESCRIPTION
·High Voltage-VCER= 1500V(Min.)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 5.0V(Max.)@ IC= 2.5A
APPLICATIONS
·Designed for use in line operated B&W(19 and 20 inch 110℃
deflection circuits ) or color ( 11 and 14 inch 90℃ deflection
circuits TV receivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
VCER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage RBE= 100Ω
1500
1500
V
V
VCEO Collector-Emitter Voltage
750 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @TC= 90℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
2.5 A
10 W
115 ℃
-65~115 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
2.5 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BU105.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BU100 | Silicon NPN Power Transistors | Inchange Semiconductor |
BU1006 | (BU1006 - BU1010) Enhanced PowerBridge Rectifiers | Vishay Siliconix |
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