Datasheet.kr   

IXYH50N120C3 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 IXYH50N120C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXYH50N120C3 자료 제공

부품번호 IXYH50N120C3 기능
기능 1200V XPT IGBT GenX3
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


IXYH50N120C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 6 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

IXYH50N120C3 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet.co.kr
1200V XPTTM IGBT
GenX3TM
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
Advance Technical Information
IXYH50N120C3
VCES =
IC110 =
V CE(sat)
tfi(typ) =
1200V
50A
3.0V
57ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
±20 V
±30 V
105 A
50 A
230 A
40 A
750 mJ
ICM = 100
@VCE VCES
625
A
W
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 125°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC
=
50A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
125°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1200
V
2.5 4.5 V
25 μA
250 μA
±100 nA
2.5 3.0 V
3.2 V
TO-247 AD
G
CE
G = Gate
E = Emitter
Tab
C = Collector
Tab = Collector
Features
z Optimized for Low Switching Losses
z Square RBSOA
z Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
z Avalanche Rated
z High Current Handling Capability
z International Standard Package
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z High Frequency Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Battery Chargers
z Welding Machines
z Lamp Ballasts
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100343(05/11)
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/




IXYH50N120C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet.co.kr
IXYH50N120C3
Fig. 7. Transconductance
60
50 TJ = - 40ºC
40 25ºC
125ºC
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC - Amperes
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
Cies
100
10
0
f = 1 MHz
5
10
15 20 25
VCE - Volts
Coes
Cres
30 35
40
16
14 VCE = 600V
I C = 50A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140
QG - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
110
100
90
80
70
60
50
40
30
TJ = 125ºC
20 RG = 5
10 dv / dt < 10V / ns
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
Pulse Width - Second
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
0.01
0.1
1
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

4페이지












구       성 총 6 페이지수
다운로드[ IXYH50N120C3.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
IXYH50N120C3

1200V XPT IGBT GenX3

IXYS Corporation
IXYS Corporation
IXYH50N120C3D1

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

IXYS Corporation
IXYS Corporation

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵