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부품번호 | IXYH50N120C3 기능 |
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기능 | 1200V XPT IGBT GenX3 | ||
제조업체 | IXYS Corporation | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
www.DataSheet.co.kr
1200V XPTTM IGBT
GenX3TM
High-Speed IGBT
for 20-50 kHz Switching
Advance Technical Information
IXYH50N120C3
VCES =
IC110 =
V ≤CE(sat)
tfi(typ) =
1200V
50A
3.0V
57ns
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC110
ICM
IA
EAS
SSOA
(RBSOA)
PC
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
Md
Weight
Test Conditions
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 110°C
TC = 25°C, 1ms
TC = 25°C
TC = 25°C
VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 5Ω
Clamped Inductive Load
TC = 25°C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
Mounting Torque
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
±20 V
±30 V
105 A
50 A
230 A
40 A
750 mJ
ICM = 100
≤@VCE VCES
625
A
W
-55 ... +150
150
-55 ... +150
°C
°C
°C
300 °C
260 °C
1.13/10 Nm/lb.in.
6g
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)
BVCES
IC = 250μA, VGE = 0V
VGE(th)
IC = 250μA, VCE = VGE
ICES VCE = VCES, VGE = 0V
TJ = 125°C
IGES VCE = 0V, VGE = ±20V
VCE(sat)
IC
=
50A,
VGE
=
15V,
Note
1
TJ
=
125°C
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1200
V
2.5 4.5 V
25 μA
250 μA
±100 nA
2.5 3.0 V
3.2 V
TO-247 AD
G
CE
G = Gate
E = Emitter
Tab
C = Collector
Tab = Collector
Features
z Optimized for Low Switching Losses
z Square RBSOA
z Positive Thermal Coefficient of
Vce(sat)
z Avalanche Rated
z High Current Handling Capability
z International Standard Package
Advantages
z High Power Density
z Low Gate Drive Requirement
Applications
z High Frequency Power Inverters
z UPS
z Motor Drives
z SMPS
z PFC Circuits
z Battery Chargers
z Welding Machines
z Lamp Ballasts
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100343(05/11)
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IXYH50N120C3
Fig. 7. Transconductance
60
50 TJ = - 40ºC
40 25ºC
125ºC
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC - Amperes
10,000
Fig. 9. Capacitance
1,000
Cies
100
10
0
f = 1 MHz
5
10
15 20 25
VCE - Volts
Coes
Cres
30 35
40
16
14 VCE = 600V
I C = 50A
12 I G = 10mA
Fig. 8. Gate Charge
10
8
6
4
2
0
0 20 40 60 80 100 120 140
QG - NanoCoulombs
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
110
100
90
80
70
60
50
40
30
TJ = 125ºC
20 RG = 5Ω
10 dv / dt < 10V / ns
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
VCE - Volts
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
1
0.1
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
Pulse Width - Second
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
0.01
0.1
1
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IXYH50N120C3D1 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | IXYS Corporation |
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