|
|
|
부품번호 | SUD06N10-225L 기능 |
|
|
기능 | N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET | ||
제조업체 | Vishay Siliconix | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
www.DataSheet.co.kr
New Product
SUD06N10-225L
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
rDS(on) (W)
0.200 @ VGS = 10 V
100
0.225 @ VGS = 4.5 V
TO-252
ID (A)
6.5
6.0
D
GDS
Top View
Order Number:
SUD06N10-225L
Drain Connected to Tab
G
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ = 175_C)b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle v 1%)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
TC = 25_C
TC = 125_C
L = 0.1 mH
TC = 25_C
TA = 25_C
VDS
VGS
ID
IDM
IS
IAR
EAR
PD
TJ, Tstg
100
"20
6.5
3.75
8.0
6.5
5.0
1.25
20b
1.5a
–55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambienta
Junction-to-Case
Notes
a. Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71253
S–01584—Rev. A, 17-Jul-00
t v 10 sec
Steady State
Symbol
RthJA
RthJC
Typical
40
80
6.0
Maximum
50
100
7.5
Unit
_C/W
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600
1
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
www.DataSheet.co.kr
SUD06N10-225L
Vishay Siliconix
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
On-Resistance vs. Junction Temperature
2.5
VGS = 10 V
ID = 3 A
2.0
10
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.5 TJ = 175_C
1.0
TJ = 25_C
0.5
0
–50 –25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ – Junction Temperature (_C)
THERMAL RATINGS
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
8
6
4
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VSD – Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
Safe Operating Area
10
Limited by rDS(on)
1
10 ms
100 ms
1 ms
2
TC = 25_C
Single Pulse
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC – Case Temperature (_C)
0.1
0.1
1 10
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1 Duty Cycle = 0.5
0.2
10 ms
100 ms
1 s, dc
100
0.1
0.1
0.02
0.05
0.01
10–5
Single Pulse
10–4
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600
4
10–3
10–2
10–1
Square Wave Pulse Duration (sec)
1
10 100
Document Number: 71253
S–01584—Rev. A, 17-Jul-00
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
다운로드 | [ SUD06N10-225L.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
SUD06N10-225L | N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET | Vishay Siliconix |
SUD06N10-225L-GE3 | N-Channel 100V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |