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SUD06N10-225L 데이터시트 PDF




Vishay Siliconix에서 제조한 전자 부품 SUD06N10-225L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SUD06N10-225L 자료 제공

부품번호 SUD06N10-225L 기능
기능 N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
제조업체 Vishay Siliconix
로고 Vishay Siliconix 로고


SUD06N10-225L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SUD06N10-225L 데이터시트, 핀배열, 회로
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New Product
SUD06N10-225L
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
rDS(on) (W)
0.200 @ VGS = 10 V
100
0.225 @ VGS = 4.5 V
TO-252
ID (A)
6.5
6.0
D
GDS
Top View
Order Number:
SUD06N10-225L
Drain Connected to Tab
G
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ = 175_C)b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle v 1%)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
TC = 25_C
TC = 125_C
L = 0.1 mH
TC = 25_C
TA = 25_C
VDS
VGS
ID
IDM
IS
IAR
EAR
PD
TJ, Tstg
100
"20
6.5
3.75
8.0
6.5
5.0
1.25
20b
1.5a
–55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambienta
Junction-to-Case
Notes
a. Surface Mounted on 1” x1” FR4 Board.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71253
S–01584—Rev. A, 17-Jul-00
t v 10 sec
Steady State
Symbol
RthJA
RthJC
Typical
40
80
6.0
Maximum
50
100
7.5
Unit
_C/W
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600
1
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SUD06N10-225L pdf, 반도체, 판매, 대치품
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SUD06N10-225L
Vishay Siliconix
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
On-Resistance vs. Junction Temperature
2.5
VGS = 10 V
ID = 3 A
2.0
10
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.5 TJ = 175_C
1.0
TJ = 25_C
0.5
0
–50 –25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ – Junction Temperature (_C)
THERMAL RATINGS
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
8
6
4
1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VSD – Source-to-Drain Voltage (V)
1.2
Safe Operating Area
10
Limited by rDS(on)
1
10 ms
100 ms
1 ms
2
TC = 25_C
Single Pulse
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC – Case Temperature (_C)
0.1
0.1
1 10
VDS – Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1 Duty Cycle = 0.5
0.2
10 ms
100 ms
1 s, dc
100
0.1
0.1
0.02
0.05
0.01
10–5
Single Pulse
10–4
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600
4
10–3
10–2
10–1
Square Wave Pulse Duration (sec)
1
10 100
Document Number: 71253
S–01584—Rev. A, 17-Jul-00
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