Datasheet.kr   

2SC3071 데이터시트 PDF




Sanyo Semicon Device에서 제조한 전자 부품 2SC3071은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SC3071 자료 제공

부품번호 2SC3071 기능
기능 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
제조업체 Sanyo Semicon Device
로고 Sanyo Semicon Device 로고


2SC3071 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 3 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

2SC3071 데이터시트, 핀배열, 회로
Ordering number:EN946G
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC3071
High hFE, Low-Frequency
General-Purpose Amplifier Applications
Applications
· Low-frequency, general-purpose amplifier., various
drivers, muting circuit.
Features
· High DC current gain (hFE=500 to 2000).
· High breakdown voltage (VCEO100V).
· Low collector-to-emitter saturation voltage
(VCE(sat)0.5V).
· High VEBO (VEBO15V).
Package Dimensions
unit:mm
2006B
[2SC3071]
EIAJ : SC-51
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C
Conditions
Parameter
Symbol
Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCB=80V, IE=0
VEB=10V, IC=0
VCE=5V, IC=10mA
VCE=5V, IC=100mA
VCE=10V, IC=10mA
VCB=10V, f=1MHz
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
Ratings
120
100
15
200
300
40
1
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mA
W
˚C
˚C
Ratings
min typ
500
400
150
6.5
max
0.1
0.1
2000
Unit
µA
µA
MHz
pF
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
N1098HA (KT)/O2196TS (KOTO) X-6939/6140MO/4207KI/3085KI/2033KI, TS No.946–1/3





구       성 총 3 페이지수
다운로드[ 2SC3071.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
2SC3070

High-hFE/ Low-Frequency General-Purpose Amp Applications

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SC3071

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵