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2SC3076 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SC3076은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2SC3076 자료 제공

부품번호 2SC3076 기능
기능 Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


2SC3076 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SC3076 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3076
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
2SC3076
Unit: mm
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.)
Complementary to 2SA1241
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power
dissipation
Ta = 25°C
Tc = 25°C
Junction temperature
Storage temperature range
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
50
50
5
2
1
1.0
10
150
55 to 150
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
TOSHIBA
2-7J1A
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
Weight: 0.36 g (typ.)
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/”Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
1 2010-02-05




2SC3076 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IC – VBE
2.0
Common emitter
VCE = 2 V
1.5
1.0
0.5
Tc = 100°C 25
55
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6
Base-emitter voltage VBE (V)
Safe Operating Area
5
3 IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
1 ms*
10 ms*
1 DC operation
Tc = 25°C
100 ms*
0.5
0.3
0.1
0.05 *: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
0.03 Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
0.01
0.5
1
35
10
VCEO max
30 50
Collector-emitter voltage VCE (V)
100
2SC3076
12
(1)
10
8
PC – Ta
(1) Tc = Ta infinite heat sink
(2) Ceramic substrate
50 × 50 × 0.8 mm
(3) No heat sink
6
4
(2)
2
(3)
0
0 25 50 75 100 125 150 175
Ambient temperature Ta (°C)
4 2010-02-05

4페이지












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다운로드[ 2SC3076.PDF 데이터시트 ]

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