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2SC3122 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SC3122은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SC3122 자료 제공

부품번호 2SC3122 기능
기능 Silicon NPN Epitaxial Planar Type Transistor
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


2SC3122 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2SC3122 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC3122
2SC3122
TV VHF RF Amplifier Applications
Unit: mm
· High gain: Gpe = 24dB (typ.) (f = 200 MHz)
· Low noise: NF = 2.0dB (typ.) (f = 200 MHz)
· Excellent forward AGC characteristics
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
30
30
3
20
10
150
125
-55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
JEDEC
JEITA
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min Typ. Max Unit
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
DC current gain
Reverse transfer capacitance
Transition frequency
Power gain
Noise figure
AGC voltage
ICBO
IEBO
V (BR) CEO
hFE
Cre
fT
Gpe
NF
VAGC
VCB = 25 V, IE = 0
VEB = 2 V, IC = 0
IC = 1 mA, IB = 0
VCE = 10 V, IC = 2 mA
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
VCE = 10 V, IC = 2 mA
VCE = 12 V, VAGC = 1.4 V, f = 200 MHz
VCC = 12 V, GR = 30dB, f = 200 MHz
(Note)
¾
¾
30
60
¾
400
20
¾
3.6
¾ 100 nA
¾ 100 nA
¾¾
V
150 300
0.3 0.45 pF
650 ¾ MHz
24 28 dB
2.0 3.2 dB
4.4 5.1
V
Note: VAGC measured by test circuit shown in Figure 1 when power gain is reduced to 30dB compared that of VAGC
at 1.4 V.
1 2003-03-19




2SC3122 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SC3122
4 2003-03-19

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