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부품번호 | 2SC3138 기능 |
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기능 | Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process)
2SC3138
2SC3138
High Voltage Switching Applications
Unit: mm
• High voltage: VCBO = 200 V (max)
VCEO = 200 V (max)
• Small flat package
• Complementary to 2SA1255
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
200
200
5
50
20
150
125
−55~125
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TO-236MOD
SC-59
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
TOSHIBA
2-3F1A
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
Weight: 0.012 g (typ.)
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Marking
1 2007-11-01
2SC3138
4 2007-11-01
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SC313 | Silicon NPN Transistor | New Jersey Semi-Conductor |
2SC313 | Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 3-Pin TO-126 | New Jersey Semiconductor |
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