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FMV05N50E 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 FMV05N50E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FMV05N50E 자료 제공

부품번호 FMV05N50E 기능
기능 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


FMV05N50E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FMV05N50E 데이터시트, 핀배열, 회로
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FMV05N50E
Super FAP-E3 series
FUJI POWER MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Features
Maintains both low power loss and low noise
Lower RDS(on) characteristic
More controllable switching dv/dt by gate resistance
Smaller VGS ringing waveform during switching
Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V)
High avalanche durability
Applications
Switching regulators
UPS (Uninterruptible Power Supply)
DC-DC converters
Outline Drawings [mm]
TO-220F(SLS)
Equivalent circuit schematic
Drain(D)
Gate(G)
Source(S)
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings at Tc=25°C (unless otherwise specified)
Description
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Repetitive and Non-Repetitive Maximum Avalanche Current
Non-Repetitive Maximum Avalanche Energy
Repetitive Maximum Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dV/dt
Peak Diode Recovery -di/dt
Symbol
VDS
VDSX
ID
IDP
VGS
IAR
EAS
EAR
dV/dt
-di/dt
Maximum Power Dissipation
PD
Operating and Storage Temperature range
Isolation Voltage
Tch
Tstg
VISO
Characteristics
500
500
±5
±20
±30
5
171
6.0
5.3
100
2.16
21
150
-55 to +150
2
Unit
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
kV/µs
A/µs
W
°C
°C
kVrms
Electrical Characteristics at Tc=25°C (unless otherwise specified)
Description
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Time
Turn-Off Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Avalanche Capability
Diode Forward On-Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Symbol
BVDSS
VGS (th)
IDSS
IGSS
RDS (on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
IAV
VSD
trr
Qrr
Conditions
ID=250µA, VGS=0V
ID=250µA, VDS=VGS
VDS=500V, VGS=0V
VDS=400V, VGS=0V
VGS=±30V, VDS=0V
ID=2.5A, VGS=10V
ID=2.5A, VDS=25V
VDS=25V
VGS = 0V
f=1MHz
Vcc = 30 0V
VGS=10V
ID=2.5A
RG=24Ω
Vcc =250V
ID=5A
VGS=10V
L=5.01mH, Tch=25°C
IF=5A, VGS=0V, Tch=25°C
IF=5A, VGS=0V
-di/dt=100A/µs, Tch=25°C
Tch=25°C
Tch=125°C
min.
500
2.5
-
-
-
-
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
-
-
-
typ.
-
3.0
-
-
10
1.28
5
610
66
4.7
10
7
45
13.5
21
6
5.5
-
0.86
0.28
1.8
Thermal Characteristics
Description
Thermal resistance
Symbol
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
Test Conditions
Channel to Case
Channel to Ambient
min.
typ.
Note *1 : Tch≤150°C
Note *2 : Stating Tch=25°C, IAS=2A, L=78.3mH, Vcc=50V, RG=50Ω
EAS limited by maximum channel temperature and avalanche current.
See to 'Avalanche Energy' graph.
Note *3 : Repetitive rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.
See to the 'Transient Themal impeadance' graph.
Note *4 : IF≤-ID, -di/dt=100A/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.
Note *5 : IF≤-ID, dv/dt=5.3kV/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.
Remarks
VGS = -30V
Note*1
Note*2
Note*3
Note*4
Note*5
Ta=25°C
Tc=25°C
t = 60sec, f = 60Hz
max.
-
3.5
25
250
100
1.50
-
915
99
7.1
15
10.5
67.5
20.3
32
9
8.3
-
1.30
-
-
Unit
V
V
µA
nA
S
pF
ns
nC
A
V
µs
µC
max.
5.952
58.0
Unit
°C/W
°C/W
1
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FMV05N50E pdf, 반도체, 판매, 대치품
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FMV05N50E
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=50V,I(AV)<=5A
200
IAS=2A
150
IAS=3A
100
IAS=5A
50
0
0 25 50 75 100 125 150
starting Tch [°C]
FUJI POWER MOSFET
4
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