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FMV24N25G 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 FMV24N25G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FMV24N25G 자료 제공

부품번호 FMV24N25G 기능
기능 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


FMV24N25G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FMV24N25G 데이터시트, 핀배열, 회로
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FMV24N25G
Super FAP-G series
http://www.fujisemi.com
FUJI POWER MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Features
High speed switching
Low on-resistance
No secondary breadown
Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators
UPS (Uninterruptible Power Supply)
DC-DC converters
Outline Drawings [mm]
TO-220F(SLS)
Maximum Ratings and Characteristics
Absolute Maximum Ratings at Tc=25°C (unless otherwise specified)
Description
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Repetitive and Non-Repetitive Maximum AvalancheCurrent
Non-Repetitive Maximum Avalanche Energy
Maximum Drain-Source dV/dt
Peak Diode Recovery dV/dt
Symbol
VDS
VDSX
ID
IDP
VGS
IAR
EAS
dVds/dt
dV/dt
Maximum Power Dissipation
PD
Operating and Storage Temperature range
Isolation
Tch
Tstg
VISO
Characteristics
250
220
±24
±96
±30
24
192
20
5
2.16
65
150
-55 to +150
2
Electrical Characteristics at Tc=25°C (unless otherwise specified) Static Ratings
Description
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source On-State Resistance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Time
Turn-Off Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Avalanche Capability
Diode Forward On-Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Symbol
BVDSS
VGS (th)
IDSS
IGSS
RDS (on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
IAV
VSD
trr
Qrr
Conditions
ID=250µA, VGS=0V
ID=250µA, VDS=VGS
VDS=250V, VGS=0V
VDS=200V, VGS=0V
VGS=±30V, VDS=0V
ID=12A, VGS=10V
ID=12A, VDS=25V
VDS=75V
VGS=0V
f=1MHz
Vcc=72V
VGS=10V
ID=12A
RG=10Ω
Vcc=72V
ID=24A
VGS=10V
L=560uH, Tch=25°C
IF=24A, VGS=0V, Tch=25°C
IF=24A, VGS=0V
-di/dt=100A/µs, Tch=25°C
Tch=25°C
Tch=125°C
min.
250
3.0
-
-
-
-
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24
-
-
-
Thermal Characteristics
Description
Channel to Case
Channel to Ambient
Note *1 : Tch≤150°C
Note *2 : Stating Tch=25°C, IAS=A, L=560uH, Vcc=48V, RG=50Ω,
EAS limited by maximum channel temperature and avalanche current.
Note *3 : IF≤-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc≤BVDSS, Tch≤150°C.
Symbol
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
min.
Equivalent circuit schematic
Drain(D)
Gate(G)
Source(S)
Unit
V
V
A
A
V
A
mJ
kV/µs
kV/µs
W
°C
°C
KVrms
Remarks
VGS = -30V
Note*1
Note*2
VDS=≤200V
Note*3
Ta=25°C
Tc=25°C
t=60sec, f=60Hz
typ.
-
-
-
-
10
0.11
16
1150
200
13
27
22
35
14
36
14.5
11.5
-
1.0
0.23
2.5
max.
-
5.0
25
250
100
0.13
-
1725
300
19.5
40.5
33
52.5
21
54
21.8
17.3
-
1.5
-
-
Unit
V
V
µA
nA
S
pF
ns
nC
A
V
µS
µC
typ. max. Unit
1.923
°C/W
58.0
°C/W
1
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FMV24N25G pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet.co.kr
FMV24N25G
Maximum Avalanche Current Pulse width
IAV=f(tAV):startingTch=25˚C,Vcc=48V
102
Single Pulse
101
100
10-1
10-2
10-8 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2
tAV [sec]
FUJI POWER MOSFET
http://www.fujisemi.com
Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=0
101
100
10-1
10-2
10-3
10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100
t [sec]
4
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