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KBP202G 데이터시트 PDF




SIYU에서 제조한 전자 부품 KBP202G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 KBP202G 자료 제공

부품번호 KBP202G 기능
기능 (KBP201G - KBP207G) Single-phase Silicon Bridge Rectifier
제조업체 SIYU
로고 SIYU 로고


KBP202G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KBP202G 데이터시트, 핀배열, 회로
SIYU R
塑封硅整流桥堆
反向电压 50---1000V
正向电流 2.0 A
KBP201G......KBP207G
Single-phase Silicon Bridge Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000 V
Forward Current 2.0A
KBP
Unit(mm)
特征 Features
·反向漏电流低 Low reverse leakage
·正向浪涌承受能力较强 High forward surge capability
·浪涌承受能力:60 A Surge overload rating: 60 Amperes peak
·引线和管体皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据 Mechanical Data
·封装: 塑料封装 Case: Molded Plastic
·极性: 标记模压或印于本体 Polarity: Symbols molded or marked on body
·安装位置: 任意 Mounting Position: Any
极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25ambient temperature unless otherwise specified.
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
符号 KBP KBP KBP KBP KBP KBP KBP
Symbols 201G 202G 203G 204G 205G 206G 207G
VRRM
50 100 200 400 600 800 1000
VRMS
35
www.DataSheet.co.kr
70 140 280 420 560 700
VDC
50 100 200 400 600 800 1000
最大正向平均整流电流 TA =50
Maximum average forward rectified current
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
IF(AV)
IFSM
2.0
60
单位
Unit
V
V
V
A
A
典型热阻 Typical thermal resistance
工作结温
Operating junction
存储温度
Storage temperature range
RθJA
Tj
TSTG
30
-55 --- +125
-55 --- +150
/W
电特性 TA = 25除非另有规定。
Electrical Characteristics Ratings at 25ambient temperature unless otherwise specified.
符号 KBP KBP KBP KBP KBP KBP KBP
Symbols 201G 202G 203G 204G 205G 206G 207G
最大正向电压
Maximum forward voltage
IF =2.0A
VF
1.1
最大反向电流
Maximum reverse current
TA= 25
TA = 125
IR
10
500
单位
Unit
V
μA
大昌电子 DACHANG ELECTRONICS
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/





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