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R6015ANX 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 R6015ANX은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 R6015ANX 자료 제공

부품번호 R6015ANX 기능
기능 Drive Nch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


R6015ANX 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R6015ANX 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistors
10V Drive Nch MOSFET
R6015ANX
R6015ANX
zStructure
Silicon N-channel MOSFET
zFeatures
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (VGSS)
guaranteed to be r30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
zDimensions (Unit : mm)
TO-220FM
10.0
φ3.2
4.5
2.8
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
1.2
1.3
0.8
2.54 2.54
(1) (2) (3)
0.75
2.6
zApplications
Switching
zPackaging specifications
Package
Code
Type Basic ordering unit (pieces)
R6015ANX
Bulk
500
www.DataSheet.co.kr
zInner circuit
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
VDSS
600
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
VGSS
ID
IDP
IS
ISP
3
1
3
1
±30
±15
±60
15
60
Avalanche Current
IAS 2
7.5
Avalanche Energy
EAS 2
15.0
Total power dissipation (Tc=25°C)
PD
50
Channel temperature
Tch 150
Range of storage temperature
Tstg
1 Pw10μs, Duty cycle1%
2 L 500μH, VDD=50V, RG=25Ω, Starting, Tch=25°C
3 Limited only by maximum temperature allowed
55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
(1)
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
1
(2) (3)
1 Body Diode
1/5
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R6015ANX pdf, 반도체, 판매, 대치품
Transistors
R6015ANX
100
VGS= 0V
Pulsed
10 Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
1 Ta= -25°C
0.1
0.01
0
0.5 1
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.10 Reverse Drain Current vs.
Sourse-Drain Voltage
1.5
10000
1000
100
Coss
Crss
Cis s
10 Ta= 25°C
f= 1MHz
VGS= 0V
1
0.1
1
10 100 1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
Fig.11 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
15
Ta= 25°C
VDD= 300V
ID= 12A
10
RG= 10ȍ
Pulsed
5
0
0 10 20 30 40
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
50
1000
100
Ta= 25°C
di / dt= 100A / μs
VGS= 0V
Pulsed
10
0.1 1 10 100
REVERSE DRAIN CURRENT : IDR (A)
Fig.13 Reverse Recovery Time
vs.Reverse Drain Current
10000
1000
100
td(off)
Ta= 25°C
tf VDD= 300V
VGS= 10V
RG= 10ȍ
Pulsed
10
1
0.01
tr td(on)
www.DataSheet.co.kr
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.14 SwitchingCharacteristics
100
10
1
Ta = 25°C
Single Pulse : 1Unit
Rthch-a䋩䋨t= 䌲䋨t×Rthch-a
0.1 Rthch-a= 53.0 °C/W
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
PULSE WIDTH : Pw(s)
100
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
1000
4/5
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