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부품번호 | R6015ANX 기능 |
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기능 | Drive Nch MOSFET | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
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전체 6 페이지수
Transistors
10V Drive Nch MOSFET
R6015ANX
R6015ANX
zStructure
Silicon N-channel MOSFET
zFeatures
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (VGSS)
guaranteed to be r30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
zDimensions (Unit : mm)
TO-220FM
10.0
φ3.2
4.5
2.8
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
1.2
1.3
0.8
2.54 2.54
(1) (2) (3)
0.75
2.6
zApplications
Switching
zPackaging specifications
Package
Code
Type Basic ordering unit (pieces)
R6015ANX
Bulk
−
500
www.DataSheet.co.kr
zInner circuit
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
VDSS
600
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
VGSS
ID
IDP
IS
ISP
∗3
∗1
∗3
∗1
±30
±15
±60
15
60
Avalanche Current
IAS ∗2
7.5
Avalanche Energy
EAS ∗2
15.0
Total power dissipation (Tc=25°C)
PD
50
Channel temperature
Tch 150
Range of storage temperature
Tstg
∗1 Pw≤10μs, Duty cycle≤1%
∗2 L 500μH, VDD=50V, RG=25Ω, Starting, Tch=25°C
∗3 Limited only by maximum temperature allowed
−55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
(1)
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
∗1
(2) (3)
∗1 Body Diode
1/5
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
Transistors
R6015ANX
100
VGS= 0V
Pulsed
10 Ta= 125°C
Ta= 75°C
Ta= 25°C
1 Ta= -25°C
0.1
0.01
0
0.5 1
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.10 Reverse Drain Current vs.
Sourse-Drain Voltage
1.5
10000
1000
100
Coss
Crss
Cis s
10 Ta= 25°C
f= 1MHz
VGS= 0V
1
0.1
1
10 100 1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
Fig.11 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
15
Ta= 25°C
VDD= 300V
ID= 12A
10
RG= 10ȍ
Pulsed
5
0
0 10 20 30 40
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
50
1000
100
Ta= 25°C
di / dt= 100A / μs
VGS= 0V
Pulsed
10
0.1 1 10 100
REVERSE DRAIN CURRENT : IDR (A)
Fig.13 Reverse Recovery Time
vs.Reverse Drain Current
10000
1000
100
td(off)
Ta= 25°C
tf VDD= 300V
VGS= 10V
RG= 10ȍ
Pulsed
10
1
0.01
tr td(on)
www.DataSheet.co.kr
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.14 Switching䇭Characteristics
100
10
1
Ta = 25°C
Single Pulse : 1Unit
Rth䋨ch-a䋩䋨t䋩 = 䌲䋨t䋩×Rth䋨ch-a䋩
0.1 Rth䋨ch-a䋩 = 53.0 °C/W
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
PULSE WIDTH : Pw(s)
100
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
1000
4/5
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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R6015ANJ | Drive Nch MOSFET | ROHM Semiconductor |
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