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R6015ANZ 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 R6015ANZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 R6015ANZ 자료 제공

부품번호 R6015ANZ 기능
기능 Drive Nch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


R6015ANZ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R6015ANZ 데이터시트, 핀배열, 회로
Data Sheet
10V Drive Nch MOSFET
R6015ANZ
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) Low input capacitance.
3) High ESD.
Application
Switching
Dimensions (Unit : mm)
TO-3PF
15.5 φ3.6 5.5 3.0
2.0
0.75
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
(1) (2) (3)
5.45 5.45
2.0 3.0
0.9
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
R6015ANZ
Bulk
-
360
Inner circuit
1
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Avalanche current
Avalanche energy
Power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
VDSS
VGSS
ID *3
IDP *1
IS *3
ISP *1
IAS *2
EAS *2
PD *4
Tch
Tstg
*1 Pw10s, Duty cycle1%
*2 L 500H, VDD=50V, RG=25, Tch=25°C
*3 Limited only by maximum channel temperature allowed.
*4 TC=25°C
Limits
600
30
15
60
15
60
7.5
15
110
150
55 to 150
www.DataSheet.co.kr
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
Thermal resistance
Parameter
Channel to Case
* TC=25°C
Symbol
Rth (ch-c) *
Limits
1.13
Unit
C / W
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
(1) (2) (3)
1 BODY DIODE
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/5
2011.10 - Rev.A
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/




R6015ANZ pdf, 반도체, 판매, 대치품
R6015ANZ
 
Data Sheet
Fig.10 Source Current vs.
Sourse-Drain Voltage
100
VGS= 0V
Pulsed
10
1
Ta=125
Ta= 75
0.1 Ta= 25
Ta= -25
0.01
0
0.5 1 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
10000
Fig.11 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
1000
Coss
Ciss
100
Crss
10 Ta= 25
f= 1MHz
VGS= 0V
1
0.01 0.1 1 10 100 1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
Fig.12 Dynamic Input Characteristics
15
Ta= 25
VDD= 300V
ID= 15A
10
RG= 10Ω
Pulsed
5
0
0 10 20 30 40 50 60 70
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
1000
Fig.13 Reverse Recovery Time
vs.Source Current
100
10000
1000
Fig.14 Switching Characteristics
td(off)
tf
Ta= 25
VDD= 300V
VGS= 10V
RG= 10Ω
Pulsed
100
10
0.1
Ta= 25
di / dt= 100A / μs
VGS= 0V
Pulsed
1 10 100
SOURCE CURRENT : IS (A)
10
1
0.01
td(on)
tr
0.1
1
www.DataSheet.co.kr
10
DRAIN CURRENT : ID (A)
100
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
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