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RCD060N25 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 RCD060N25은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RCD060N25 자료 제공

부품번호 RCD060N25 기능
기능 Drive Nch MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


RCD060N25 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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RCD060N25 데이터시트, 핀배열, 회로
Data Sheet
10V Drive Nch MOSFET
RCD060N25
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Features
1) Low on-resistance.
2) High-speed switching.
3) Wide range of SOA.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
Dimensions (Unit : mm)
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
6.5
5.1
2.3
0.5
0.75
0.9 2.3
(1) (2)
0.65
(3) 2.3
0.5
1.0
Application
Switching
Packaging specifications
Package
Type Code
Basic ordering unit (pieces)
RCD060N25
Taping
TL
2500
www.DataSheet.co.kr
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Avalanche current
Avalanche energy
Power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
VDSS
250
VGSS
30
ID *3
6
IDP *1,3
IS
24
6
ISP *1
24
IAS *2
3
EAS *2
2.62
PD *4
20
Tch 150
Tstg 55 to 150
*1 Pw10s, Duty cycle1%
*2 L 500H, VDD=50V, RG=25, Tch=25C
*3 Limited only by maximum channel temperature allowed.
*4 TC=25C
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
Thermal resistance
Parameter
Channel to Case
Symbol
Rth (ch-c)*
* TC=25°C
* Limited only by maximum channel temperature allowed.
Limits
6.25
Unit
C / W
Inner circuit
1
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
(1) (2) (3)
1 BODY DIODE
www.rohm.com
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/6
2011.11 - Rev.A
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RCD060N25 pdf, 반도체, 판매, 대치품
RCD060N25
 
Data Sheet
Fig.7 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
10
VDS=10V
pulsed
1
Ta= 125°C
Ta= 75°C
0.1 Ta= 25°C
Ta= -25°C
Fig.8 Source Current vs. Source-Drain Voltage
10
VGS=0V
pulsed
Ta= 125°C
1 Ta= 75°C
Ta= 25°C
Ta= -25°C
0.1
0.01
0.01
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
Fig.9 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate-Source Voltage
1500
1300
Ta=25°C
pulsed
1100
900
700
ID=6.0A
ID=3.0A
500
300
100
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Gate-Source Voltage : VGS [V]
Fig.11 Dynamic Input Characteristics
15
Ta=25°C
VDD=125V
ID=6A
Pulsed
10
5
0
0 5 10 15 20 25
Total Gate Charge : Qg [nC]
0.01
0.0
0.5 1.0 1.5
Source-Drain Voltage : VSD [V]
2.0
10000
1000
Fig.10 Switching Characteristics
VDD=125V
VGS=10V
RG=10Ω
Ta=25°C
Pulsed
tf
www.DataSheet.co.kr
100
10
td(on)
td(off)
tr
1
0.01
0.1 1
Drain Current : ID [A]
10
Fig.12 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage
10000
1000
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
100
Coss
10
Crss
1
0.01
0.1 1 10 100
Drain-Source Voltage : VDS [V]
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RCD060N25 전자부품, 판매, 대치품
Notes
Notice
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http://www.rohm.com/contact/
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R1120A
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