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부품번호 | BD952 기능 |
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기능 | Silicon PNP Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
BD952
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -80V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 40(Min)@ IC= -500mA
·Complement to Type BD951
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier and switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-80 V
VCEO
VEBO
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
-80
www.DataSheet.co.kr
V
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-5 A
ICM Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
-8 A
40 W
150 ℃
-65~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
3.12 ℃/W
Thermal Resistance,Junction to Ambient 70 ℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BD952.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BD950 | Silicon PNP Power Transistor | Inchange Semiconductor |
BD950 | (BD949 - BD956) TO-220 Plastic Package | CDIL |
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