Datasheet.kr   

2SC3964 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SC3964은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SC3964 자료 제공

부품번호 2SC3964 기능
기능 Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


2SC3964 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

2SC3964 데이터시트, 핀배열, 회로
2SC3964
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC3964
Switching Applications
Solenoid Drive Applications
Temperature Compensated for Audio Amplifier Output
Stage
Industrial Applications
Unit: mm
High DC current gain: hFE = 500 (min) (IC = 400 mA)
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)
(IC = 300 mA)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
Rating
40
40
7
2
0.5
1.5
150
55 to 150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-8H1A
Weight: 0.82 g (typ.)
Electrical Characteristics (Tc = 25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
Test Condition
ICBO
IEBO
V (BR) CEO
hFE
VCE (sat)
VBE (sat)
fT
Cob
VCB = 40 V, IE = 0
VEB = 7 V, IC = 0
IC = 10 mA, IB = 0
VCE = 1 V, IC = 400 mA
IC = 300 mA, IB = 1 mA
IC = 300 mA, IB = 1 mA
VCE = 2 V, IC = 100 mA
VCB = 10 V, IB = 0, f = 1 MHz
Min Typ. Max Unit
― ― 10 µA
― ― 1 µA
40 ― ―
V
500
0.3 0.5
V
― ― 1.1 V
220 MHz
20 pF
Turn-on time
Switching time Storage time
Fall time
ton
20 µs
Input IB1
Output
1.0
tstg IB2
VCC = 30 V
tf
IB1 = IB2 = 1 mA, duty cycle 1%
3.0
µs
1.2
1 2004-07-26




2SC3964 pdf, 반도체, 판매, 대치품
VBE (sat) – IC
5
Common emitter
3 IC/IB = 300
1 Ta = 55°C
0.5 25
100
0.3
0.1
0.01
0.03 0.05 0.1
0.3 0.5
Collector current IC (A)
1
2
2000
1500
PC – Ta
Ta = 25°C
1000
500
0
0 40 80 120 160 200
Ambient temperature Ta (°C)
2SC3964
IC – VBE
2.0 Common emitter
VCE = 1 V
1.6
1.2
0.8
0.4
Ta = 100°C 25
55
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Base-emitter voltage VBE (V)
Safe Operating Area
5
3
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
10 ms*
1 ms*
1 100 ms*
0.5 1 s*
0.3 DC operation
Ta = 25°C
0.1
0.05
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
0.03 Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
0.01
0.1
0.3 0.5
1
3
5
VCEO max
10 30 50
Collector-emitter voltage VCE (V)
4 2004-07-26

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ 2SC3964.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
2SC3962

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC
SavantIC
2SC3963

Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵