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2SC3970A 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SC3970A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SC3970A 자료 제공

부품번호 2SC3970A 기능
기능 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high breakdown voltage high-speed switching)
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


2SC3970A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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2SC3970A 데이터시트, 핀배열, 회로
Power Transistors
2SC3970, 2SC3970A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high breakdown voltage high-speed switching
s Features
q High-speed switching
q High collector to base voltage VCBO
q Wide area of safe operation (ASO)
q Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
q Full-pack package which can be installed to the heat sink with
one screw
s Absolute Maximum Ratings (TC=25˚C)
Parameter
Symbol
Ratings
Collector to 2SC3970
base voltage 2SC3970A
VCBO
800
900
Collector to 2SC3970
emitter voltage 2SC3970A
VCES
800
900
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Base current
Collector power TC=25°C
dissipation
Ta=25°C
VCEO
VEBO
ICP
IC
IB
PC
500
8
3.0
1.5
0.5
25
2
Junction temperature
Storage temperature
Tj 150
Tstg –55 to +150
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
˚C
˚C
10.0±0.2
5.5±0.2
Unit: mm
4.2±0.2
2.7±0.2
φ3.1±0.1
1.3±0.2
1.4±0.1
0.8±0.1
0.5 +0.2
–0.1
2.54±0.25
5.08±0.5
123
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TO–220 Full Pack Package(a)
s Electrical Characteristics (TC=25˚C)
Parameter
Symbol
Conditions
min typ max Unit
Collector cutoff
2SC3970
current
2SC3970A
Emitter cutoff current
Collector to emitter voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
ICBO
IEBO
VCEO
hFE1
hFE2
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
ton
tstg
tf
VCB = 800V, IE = 0
VCB = 900V, IE = 0
100
µA
100
VEB = 5V, IC = 0
100 µA
IC = 10mA, IB = 0
500
V
VCE = 5V, IC = 0.1A
15
VCE = 5V, IC = 0.6A
8
IC = 0.6A, IB = 0.17A
1.0 V
IC = 0.6A, IB = 0.17A
1.5 V
VCE = 10V, IC = 0.1A, f = 1MHz
20 MHz
IC = 0.6A, IB1 = 0.17A, IB2 = – 0.34A,
VCC = 200V
1.0 µs
3.0 µs
0.3 µs
1





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