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부품번호 | 2SC4082 기능 |
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기능 | High-Frequency Amplifier Transistor (18V/ 50mA/ 1.5GHz) | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
Transistors
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
High-Frequency Amplifier Transistor
(18V, 50mA, 1.5GHz)
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
!Features
1) High transition frequency. (Typ. fT = 1.5GHz)
2) Small rbb’⋅Cc and high gain. (Typ. 6ps)
3) Small NF.
! Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
2SC5661, 2SC4725
2SC4082, 2SC3837K
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
30
18
3
50
0.15
0.2
150
−55~+150
Unit
V
V
V
mA
W
°C
°C
!Packaging specifications and hFE
Type
Package
hFE
Marking
Code
Basic ordering unit
(pieces)
2SC5661
VMT3
NP
AC∗
T2L
8000
2SC4725
EMT3
NP
AC∗
TL
3000
2SC4082
UMT3
NP
1C∗
T106
3000
∗ Denotes hFE
2SC3837K
SMT3
NP
AC∗
T146
3000
!External dimensions (Units : mm)
2SC5661
1.2
0.2 0.8 0.2
(2)
(3)
(1)
ROHM : VMT3
2SC4725
ROHM : EMT3
EIAJ : SC-75A
2SC4082
0.15Max.
(1)
(3) (2)
0.8
1.6
0.1Min.
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
2SC3837K
1.25
2.1
0.1to0.4
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Each lead has same dimensions
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
1.6
2.8 (1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
0.3to0.6
Each lead has same dimensions
!Electrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Collector-base time constant
Noise factor
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
rbb'·Cc
NF
Min.
30
18
3
−
−
−
56
600
−
−
−
Typ.
−
−
−
−
−
−
−
1500
0.9
6
4.5
Max.
−
−
−
0.5
0.5
0.5
180
−
1.5
13
−
Unit
V
V
V
µA
µA
V
−
MHz
pF
ps
dB
Conditions
IC = 10µA
IC = 1mA
IE = 10µA
VCB = 10V
VEB = 2V
IC/IB = 20mA/4mA
VCE/IC = 10V/10mA
VCB = 10V , IC = 10mA , f = 200MHz
VCB = 10V , IE = 0A , f = 1MHz
VCB = 10V , IC = 10mA , f = 31.8MHz
VCE = 12V , IC = 2mA , f = 200MHz , Rg = 50Ω
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SC4080 | PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors | Sanyo Semicon Device |
2SC4080 | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors | Guangdong Kexin |
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