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PDF FD300R12KE3 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | FD300R12KE3 | |
| Descripción | IGBT Module | |
| Fabricantes | eupec | |
| Logotipo |  |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FD300R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
tp= 1ms, Tc= 80°C
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
www.DataSheet.co.kr
VCES
IC, nom
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I²t
VISOL
1200
300
480
600
1470
+/- 20
300
600
19
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
k A²s
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 12mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
VCEsat
min.
-
-
VGE(th)
5,0
typ.
1,7
2,0
5,80
max.
2,15
-
6,50
V
V
V
QG - 2,80 - µC
Cies - 21
- nF
Cres - 0,85 - nF
ICES
-
-
5 mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2002-10-02
revision: 3.0
1 (8)
DB_FD300R12KE3_3.0
2002-10-02
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
1 page  
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FD300R12KE3
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
600
500
Tvj=25°C
Tvj=125°C
400
IC= f(VGE)
VCE= 20V
300
200
100
0
56789
VGE [V]
www.DataSheet.co.kr
Durchlasskennlinie der Dioden (typisch)
forward caracteristic of diodes (typical)
10 11
IF= f(VF)
12
13
600 800
525
450
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
700
600
375 500
300 400
225 300
150 200
75 100
00
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
5 (8)
DB_FD300R12KE3_3.0
2002-10-02
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| FD300R12KE3 | IGBT Module | eupec |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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