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Y60NM50 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 Y60NM50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 Y60NM50 자료 제공

부품번호 Y60NM50 기능
기능 STY60NM50
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


Y60NM50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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Y60NM50 데이터시트, 핀배열, 회로
STY60NM50
N-CHANNEL 500V - 0.045- 60A Max247
Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STY60NM50
500V
< 0.05
60 A
n TYPICAL RDS(on) = 0.045
n HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
n IMPROVED ESD CAPABILITY
n LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
n LOW GATE INPUT RESISTANCE
n TIGHT PROCESS CONTROL
n INDUSTRY’S LOWEST ON-RESISTANCE
DESCRIPTION
The MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET
technology that associates the Multiple Drain pro-
cess with the Company’s PowerMESH™ horizontal
layout. The resulting product has an outstanding low
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent
avalanche characteristics. The adoption of the
Company’s proprietary strip technique yields overall
dynamic performance that is significantly better than
that of similar competition’s products.
www.DataSheet.co.kr
APPLICATIONS
The MDmesh™ family is very suitable for increasing
power density of high voltage converters allowing
system miniaturization and higher efficiencies.
3
2
1
Max247
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR
Drain-gate Voltage (RGS = 20 k)
VGS Gate- source Voltage
ID Drain Current (continuous) at TC = 25°C
ID Drain Current (continuous) at TC = 100°C
IDM (l) Drain Current (pulsed)
PTOT
Total Dissipation at TC = 25°C
VESD(G-S) Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=15KΩ)
Derating Factor
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
(•)Pulse width limited by safe operating area
August 2002
Value
Unit
500 V
500 V
±30 V
60 A
37.8
A
240 A
560 W
6 KV
4.5 W/°C
15 V/ns
–65 to 150
°C
150 °C
(1)ISD 60A, di/dt 400A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
1/8
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Y60NM50 pdf, 반도체, 판매, 대치품
STY60NM50
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
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Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
4/8
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4페이지










Y60NM50 전자부품, 판매, 대치품
STY60NM50
DIM.
A
A1
b
b1
b2
c
D
e
E
L
L1
MIN.
4.70
2.20
1.00
2.00
3.00
0.40
19.70
5.35
15.30
14.20
3.70
Max247 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
MAX.
5.30
2.60
1.40
2.40
3.40
0.80
20.30
5.55
15.90
15.20
4.30
MIN.
inch
TYP.
MAX.
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P025Q
7/8
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