Datasheet.kr   

CGH40035F 데이터시트 PDF




CREE에서 제조한 전자 부품 CGH40035F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CGH40035F 자료 제공

부품번호 CGH40035F 기능
기능 RF Power GaN HEMT
제조업체 CREE
로고 CREE 로고


CGH40035F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

CGH40035F 데이터시트, 핀배열, 회로
CGH40035F
35 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40035F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron
mobility transistor (HEMT). The CGH40035F, operating from a 28 volt
rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and
microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain and
wide bandwidth capabilities making the CGH40035F ideal for linear
and compressed amplifier circuits. The transistor is available in a
screw-down, flange package.
PackagPeNT:yCpGe:H4404003159F3
FEATURES
APPLICATIONS
• Up to 4 GHz Operation
• 15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
• 13 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
• 45 W typical PSAT
• 60 % Efficiency at PSAT
• 28 V Operation
• 2-Way Private Radio
• Broadband Amplifiers
• Cellular Infrastructure
• Test Instrumentationwww.DataSheet.net/
• Class A, AB, Linear amplifiers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Subject to change without notice.
www.cree.com/wireless
1
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.co.kr/




CGH40035F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance
Swept CW Data of CGH40035 vs. Output Power with Source
and
Load
Impedances Optimized
VDD = 28 V, IDQ = 500
mfoAr ,PFSrATeqPo=w3e.r5inGHCzGH40035-TB
16 80%
14 70%
12 Gain
10 Gain
Drain Efficiency
8 PAE
6
4 PAE
60%
50%
40%
30%
20%
2
Efficiency
10%
0 0%
22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48
Output Power (dBm)
www.DataSheet.net/
Simulated Maximum Available Gain and K Factor of the CGH40035F
VDD = 28 V, IDQ = 500 mA
Copyright © 2008-2011 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree and
the Cree logo are registered trademarks of Cree, Inc.
4 CGH40035 Rev 3.2
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/wireless
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.co.kr/

4페이지










CGH40035F 전자부품, 판매, 대치품
CGH40035F-TB Demonstration Amplifier Circuit Schematic
CGH40035F-TB Demonstration Amplifier Circuit Outline
www.DataSheet.net/
Copyright © 2008-2011 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree and
the Cree logo are registered trademarks of Cree, Inc.
7 CGH40035 Rev 3.2
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, NC 27703
USA Tel: +1.919.313.5300
Fax: +1.919.869.2733
www.cree.com/wireless
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.co.kr/

7페이지


구       성 총 13 페이지수
다운로드[ CGH40035F.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
CGH40035F

RF Power GaN HEMT

CREE
CREE

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵