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BD644 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BD644
기능 Silicon PNP Darlington Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BD644 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
isc Product Specification
BD644
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -45V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 750(Min) @IC= -3A
·Low Saturation Voltage
·Complement to Type BD643
APPLICATIONS
·Designed for use as complementary AF push-pull output
stage applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-60 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-45 V
VEBO
IC
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
-5
-8
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V
A
ICP Collector Current-Peak
-12 A
IBB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ Ta=25
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
-0.3
2
62.5
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance,Junction to Case
2 /W
Thermal Resistance,Junction to Ambient 62.5 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
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