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BD648 데이터시트 PDF




Comset Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BD648은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BD648 자료 제공

부품번호 BD648 기능
기능 (BD644 - BD652) Silicon Darlington Power Transistor
제조업체 Comset Semiconductors
로고 Comset Semiconductors 로고


BD648 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BD648 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTORS
BD644 – 646 – 648 – 650 – 652
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220
enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and
analogue switching application.
NPN complements are BD643, BD645, BD647, BD649 and BD651
Compliance to RoHS.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Ratings
-VCBO
Collector-Base Voltage
www.DataSheet.net/
-VCEO
Collector-Emitter Voltage
-VEBO
Emitter-Base Voltage
-IC Collector Current
-ICM Collector Peak Current
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
Value
45
60
80
100
120
45
60
80
100
120
5
8
12
Unit
V
V
V
A
A
18/10/2012
COMSET SEMICONDUCTORS
1|5
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BD648 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SEMICONDUCTORS
BD644 – 646 – 648 – 650 – 652
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25°C unless otherwise noted
Symbol
Ratings
-VBE
Base-Emitter Voltage
(*)
-IC=4 A, -VCE=3 V
-IC=3 A, -VCE=3 V
-VCE=3.0 V
-IC=0.5 A
-VCE=3.0 V, -IC=4 A
hFE
DC Current Gain (*)
-VCE=3.0 V, -IC=3 A
www.DataSheet.net/
-VCE=3.0 V, -IC=8 A
-VCE=3.0 V, -IC=4 A
f=1MHz
hfe
Small Signal Current
Gain
-VCE=3.0 V
-IC=3 A, f=1MHz
ton turn-on time
toff turn-off time
-IC=3 A
-IBon= IBoff=12 mA
(*) Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%
Min Typ Max Unit
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
-
-
-
750
750
-
BD644 10
BD646
BD648
BD650
BD652
All types
10
-
-
-
-
2700
-
-
200
-
-
1
5
2.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
V
-
µs
18/10/2012
COMSET SEMICONDUCTORS
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