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BDV66C 데이터시트 PDF




Inchange Semiconductor에서 제조한 전자 부품 BDV66C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BDV66C 자료 제공

부품번호 BDV66C 기능
기능 Silicon PNP Darlington Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고


BDV66C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BDV66C 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
isc Product Specification
BDV66/A/B/C
DESCRIPTION
·Collector Current -IC= -16A
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -10A
·Complement to Type BDV67/A/B/C
APPLICATIONS
·Designed for audio output stages and general amplifier
and switching applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
BDV66
-80
VCBO
Collector-Base
Voltage
BDV66A
BDV66B
-100
-120
V
BDV66C
-140
BDV66
-60
VCEO
Collector-Emitter
Voltage
BDV66A
BDV66B
-80
-100
www.DataSheet.net/
V
BDV66C
-120
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-16 A
ICM Collector Current-Peak
-20 A
IBB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
-0.5
175
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
MAX UNIT
0.625 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.co.kr/





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