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BUV26AF PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BUV26AF
기능 Silicon NPN Power Transistors
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고 



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BUV26AF 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 90V(Min)- BUV26F
100V(Min)- BUV26AF
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for fast switching applications such as high
frequency and efficiency converters, switching regulators
and motor control.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCES
Collector-Emitter Voltage
VBE= 0
BUV26F
BUV26AF
180
200
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
BUV26F
BUV26AF
90
100
V
VEBO Emitter-Base Voltage
5
www.DataSheet.net/
V
IC Collector Current-Continuous
14 A
ICM Collector Current-Peak
25 A
IBB Base Current-Continuous
4A
IBM Base Current-Peak
Collector Power Dissipation
PC @ TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
6
18
150
-65~150
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
7.0 /W
Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 55 /W
isc Product Specification
BUV26F/AF
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.co.kr/






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