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PDF BUZ73A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BUZ73A
Descripción N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors
Fabricantes Comset Semiconductors 
Logotipo Comset Semiconductors Logotipo



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SEMICONDUCTORS
BUZ73A
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTORS
FEATURE
This is an N-channel enhancement mode silicon gate
power field effect transistor designed for applications such
as switching regulators, switching converters, motor
drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar
switching transistors requiring high speed and low gate
drive power.
This type can be operated directly from integrated circuits
and housed in a TO-220 envelope.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
http://www.DataSheet4U.net/
Symbol
Ratings
VDS
VSD
IDS
IDM
VGS
RDS(on)
PT
tJ
tstg
tL
Drain-Source Voltage
Drain-Source diode Voltage
Continuous Drain Current TC= 37°C
Pulsed Drain Current TC= 25°C
Gate-Source Voltage
Drain-Source on Resistance
Power Dissipation at Case Temperature TC= 25°C
Operating Temperature
Storage Temperature range
Lead Temperature 1.6 mm from case for 10 seconde
Value
200
<1.7
5.5
22
20
0.6
40
-55 to +150
-55 to +150
300
Unit
V
V
A
A
V
Watts
°C
01/10/2012
COMSET SEMICONDUCTORS
1/3
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BUZ73SIPMOS Power TransistorSiemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ73SIPMOS Power TransistorInfineon Technologies AG
Infineon Technologies AG
BUZ73ASIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)Siemens Semiconductor Group
Siemens Semiconductor Group
BUZ73A5.8A/ 200V/ 0.600 Ohm/ N-Channel Power MOSFETIntersil Corporation
Intersil Corporation

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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