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AP9561AGI-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP9561AGI-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP9561AGI-HF 자료 제공

부품번호 AP9561AGI-HF 기능
기능 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP9561AGI-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP9561AGI-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP9561AGI-HF
Halogen-Free Product
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Low Gate Charge
D
Simple Drive Requirement
Fast Switching Characteristic
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
S
Description
AP9561A series are from Advanced Power innovated design and
silicon process technology to achieve the lowest possible on-
resistance and fast switching performance. It provides the designer
with an extreme efficient device for use in a wide range of power
applications.
The TO-220CFM package is widely preferred for all commercial-
industrial through hole applications. The mold compound provides a
high isolation voltage capability and low thermal resistance between
the tab and the external heat-sink.
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
http://www.DataSheet4U.net/
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
PD@TA=25
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
BVDSS
RDS(ON)
ID
-40V
18mΩ
-30A
G
D
S
TO-220CFM(I)
Rating
-40
+20
-30
-19
-120
29.7
1.92
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
W
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data and specifications subject to change without notice
Value
4.2
65
Units
/W
/W
1
201301141
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/




AP9561AGI-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP9561AGI-HF
10
V DS = -32V
I D = -20A
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
f=1.0MHz
4000
C3000 iss
2000
1000
C oss
C rss
0
1 5 9 13 17 21 25 29
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1000
100
Operation in this area
limited by RDS(ON)
100us
10 1ms
1
T C =25 o C
Single Pulse
10ms
100ms
1s
DC
0.1
0.1 1 10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1
http://www.DataSheet4U.net/
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
40 80
V DS = -5V
T j =25 o C
T j =150 o C
30 60
20 40
10 20
0
25 50 75 100 125 150
T C , Case Temperature ( o C )
Fig 11. Maximum Continuous Drain
Current v.s. Case Temperature
0
012345
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 12. Transfer Characteristics
6
4
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

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