Datasheet.kr   

DHG60U1200LB 데이터시트 PDF




IXYS에서 제조한 전자 부품 DHG60U1200LB은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DHG60U1200LB 자료 제공

부품번호 DHG60U1200LB 기능
기능 Sonic Fast Recovery Diode
제조업체 IXYS
로고 IXYS 로고


DHG60U1200LB 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

DHG60U1200LB 데이터시트, 핀배열, 회로
Sonic Fast Recovery Diode
High Performance Fast Recovery Diode
Low Loss and Soft Recovery
3~ Rectifier Bridge
Part number
DHG60U1200LB
_ ~~~ +
http://www.DataSheet4U.net/
DHG60U1200LB
V RRM
I DAV
t rr
tentative
= 1200 V
= 62 A
= 200ns
Backside: isolated
Features / Advantages:
Planar passivated chips
Very low leakage current
Very short recovery time
Improved thermal behaviour
Very low Irm-values
Very soft recovery behaviour
Avalanche voltage rated for reliable
operation
Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Applications:
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
Uninterruptible power supplies (UPS)
Package:
Housing: ISOPLUS-SMPD
_DCB isolated backside
_Isolation Voltage 3000 V
_Epoxy meets UL 94V-0
_RoHS compliant
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
© 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110722
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/




DHG60U1200LB pdf, 반도체, 판매, 대치품
Outlines ISOPLUS-SMPD
(6x) 1 ±0,05 2)
0,5 ±0,1
25 ±0,2 1)
18 ±0,1
9 ±0,1
DHG60U1200LB
tentative
(3x) 2 ±0,05 2)
0 +0,15
c 0,1
A (8 : 1)
seating plane
4 ±0,05
0,55 ±0,1
2,75 ±0,1
5,5 ±0,1
13,5 ±0,1
16,25 ±0,1
19 ±0,1
http://www.DataSheet4U.net/
A
3)
c 0,05
Notes:
1) potrusion may add 0.2 mm max. on each side
2) additional max. 0.05 mm per side by punching misalignement
or overlap of dam bar or bending compression
3) DCB area 10 to 50 µm convex;
position of DCB area in relation to plastic rim: ±25 µm
(measured 2 mm from Cu rim)
4) terminal plating: 0.2 - 1 µm Ni + 10 - 25 µm Sn (gal v.)
cutting edges may be partially free of plating
_ ~~~ +
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
© 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110722
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ DHG60U1200LB.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
DHG60U1200LB

Sonic Fast Recovery Diode

IXYS
IXYS

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵