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IDW30G65C5 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 IDW30G65C5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IDW30G65C5 자료 제공

부품번호 IDW30G65C5 기능
기능 SiC Schottky Barrier diodes
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


IDW30G65C5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IDW30G65C5 데이터시트, 핀배열, 회로
SiC
Silicon Carbide Diode
5th Generation thinQ!TM
650V SiC Schottky Diode
IDW30G65C5
http://www.DataSheet4U.net/
Final Datasheet
Rev. 2.2, 2013-01-15
Power Management & Multimarket
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/




IDW30G65C5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDW30G65C5
Maximum ratings
2 Maximum ratings
Table 3
Parameter
Maximum ratings
Symbol
Continuous forward current
IF
Surge non-repetitive forward current, IF,SM
sine halfwave
Non-repetitive peak forward current IF,max
i²t value
i²dt
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
Mounting torque
VRRM
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Min.
-55
Values
Typ.
50
Max.
30
165
139
1106
136
97
650
100
150
175
70
Unit
A
A²s
V
V/ns
W
°C
Ncm
Note/Test Condition
TC < 115°C, D=1
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
TC = 25°C, tp=10 µs
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
VR=0..480 V
TC = 25°C
M3 and M4 screws
3 Thermal characteristics
Table 4
Thermal characteristics TO-247-3
Parameter
Symbol
Min.
Thermal resistance, junction-case
Thermal resistance, junction-
ambient
RthJC
RthJA
http://www.DataSheet4U.net/
Values
Typ.
0.8
Soldering temperature,
Tsold
wavesoldering only allowed at leads
––
Max.
1.0
62
260
Unit Note/Test Condition
K/W leaded
°C
1.6mm (0.063 in.) from
case for 10 s
Final Data Sheet
4 Rev. 2.2, 2013-01-15
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

4페이지










IDW30G65C5 전자부품, 판매, 대치품
Table 9
Typ. capacitance charge vs. current slope1)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
100 300 500 700 900
dIF/dt [A/µs]
QC=f(diF/dt); Tj=150°C; VR=400 V; IFIF,max
1) Only capacitive charge, guaranteed by design.
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDW30G65C5
Electrical characteristics diagrams
Typ. reverse current vs. reverse voltage
1.E-4
1.E-5
1.E-6
175°C
1.E-7
1.E-8
150°C
100°C
25°C
-55°C
1.E-9
100 200 300 400 500 600
VR [V]
IR=f(VR); parameter: Tj
Table 10
Max. transient thermal impedance
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
1.E-06
1.E-03
tp [s]
Zth,jc=f(tP); parameter: D=tP/T
1.E+00
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Typ. capacitance vs. reverse voltage
1200
1000
800
600
400
200
0
0 1 10
VR [V]
C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
100
1000
Final Data Sheet
7 Rev. 2.2, 2013-01-15
datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

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