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2N6788 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 2N6788은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2N6788 자료 제공

부품번호 2N6788 기능
기능 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V/ Rds(on)=0.30ohm/ Id=6.0A)
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


2N6788 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N6788 데이터시트, 핀배열, 회로
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Index
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Provisional Data Sheet No. PD-9.426B
JANTX2N6788
HEXFET® POWER MOSFET
JANTXV2N6788
[REF:MIL-PRF-19500/555]
[GENERIC:IRFF120]
N-CHANNEL
100 Volt, 0.30HEXFET
HEXFET technology is the key to International
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-
tors. The efficient geometry achieves very low on-
state resistance combined with high transconductance.
HEXFET transistors also feature all of the well-es-
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage
control, very fast switching, ease of paralleling and
electrical parameter temperature stability. They are
well-suited for applications such as switching power
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-
ally any application where high reliability is required.
Product Summary
Part Number
BVDSS
JANTX2N6788
JANTXV2N6788
100V
Features:
s Avalanche Energy Rating
s Dynamic dv/dt Rating
s Simple Drive Requirements
s Ease of Paralleling
s Hermetically Sealed
RDS(on)
0.30
ID
6.0A
Absolute Maximum Ratings
ID @ VGS = 10V, TC = 25°C
ID @ VGS = 10V, TC = 100°C
IDM
PD @ TC = 25°C
Parameter
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current Œ
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
VGS
dv/dt
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt Ž
TJ
TSTG
Operating Junction
StorageTemperature Range
Lead Temperature
Weight
JANTX2N6788, JANTXV2N6788 Units
6.0
3.5 A
24
20 W
0.16
W/K 
±20 V
5.5 V/ns
-55 to 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from
case for 10.5 seconds)
0.98 (typical)
oC
g
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2N6788 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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JANTX2N6788, JANTXV2N6788 Device
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Fig. 7 — Typical Source-to-Drain Diode Forward
Voltage
Fig. 8 — Maximum Safe Operating Area
Fig. 9 — Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
Fig. 10a — Switching Time Test Circuit
Fig. 10b — Switching Time Waveforms
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