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부품번호 | 2N7000 기능 |
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기능 | 60V, 200mA, N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
2N7000
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC13b
April 1995
Philips Semiconductors
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)DSS
drain-source breakdown voltage
IDSS drain-source leakage current
±IGSS
gate-source leakage current
VGS(th)
gate-source threshold voltage
RDS(on)
drain-source on-resistance
Yfs
Ciss
Coss
Crss
transfer admittance
input capacitance
output capacitance
feedback capacitance
Switching times (see Figs 2 and 3)
ton turn-on time
toff turn-off time
Product specification
2N7000
CONDITIONS
ID = 10 µA
VGS = 0
VDS = 48 V
VGS = 0
±VGS = 15 V
VDS = 0
ID = 1 mA
VGS = VDS
ID = 500 mA
VGS = 10 V
ID = 75 mA
VGS = 4.5 V
ID = 200 mA
VDS = 10 V
VDS = 10 V
VGS = 0
f = 1 MHz
VDS = 10 V
VGS = 0
f = 1 MHz
VDS = 10 V
VGS = 0
f = 1 MHz
MIN. TYP. MAX. UNIT
60 90 −
V
−−1
µA
− − 10 nA
0.8 −
3
V
− 3.5 5
Ω
− − 5.3 Ω
100 200 −
mS
− 25 40 pF
− 22 30 pF
− 6 10 pF
ID = 200 mA
VDD = 50 V
VGS = 0 to 10 V
ID = 200 mA
VDD = 50 V
VGS = 0 to 10 V
− 4 10 ns
− 4 10 ns
April 1995
4
4페이지 Philips Semiconductors
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
Product specification
2N7000
2.4
handbook, halfpage
k
2
1.6
1.2
MDA695
(1)
(2)
0.8
0.4
−50 0 50
(1) ID = 500 mA; VGS = 10 V.
(2) ID = 75 mA; VGS = 4.5 V.
100 150
Tj (°C)
Fig.9
Temperature coefficient of drain-source on
resistance;
k = R-----D-R---S--D--(-S-o---n(--o)---n--a-)--t--a-2---t-5--T---°-j--C--- ; typical RDS(on).
1.2
handbook, halfpage
k
1.1
1
0.9
0.8
0.7
−50
0
MDA696
50 100 150
Tj (°C)
Fig.10 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage;
k = V-----G-V---S-G---(-S-t-h--(-)-t--h-a--)--t--a-2--t-5---T---°-j--C-- ; typical VGS(th) at 1 mA.
April 1995
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N7000 | 60V, 200mA, N-channel MOSFET | Motorola Inc |
2N7000 | 60V, 200mA, N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP Semiconductors |
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