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PCFMB50E6 데이터시트 PDF




Nihon에서 제조한 전자 부품 PCFMB50E6은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PCFMB50E6 자료 제공

부품번호 PCFMB50E6 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Nihon
로고 Nihon 로고


PCFMB50E6 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PCFMB50E6 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT Module-Chopper
0 A,600V
□ 回 路 図 : CIRCUIT
□ 外 形 寸 法 図 : OUTLINE DRAWING
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
3-M5
94
80 ±0 .2 5
12 11 12 11 12
12 3
2-Ø 5.5
5
4
23 23 17
16 7 16 7 16
4-fasten tab
#110 t= 0.5
LABEL
PCFMB50E6
Dimension:[mm]
□ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS (T=25℃)
Item
Symbol
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
CES
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
GES
コレク
Collector
コレク
Collector
タ電流
Current
タ損失
Power Dissipation
DC
1ms
CP
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
stg
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
ISO
締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink
Mounting Torque
Busbar to Main Terminal
tor
http://www.DataSheet4U.net/
Rated Value
600
±20
50
100
250
-40~+150
-40~+125
2,500
2(20.4)
Unit
(RMS)
N・m
(kgf・cm)
□ 電 気 的 特 性 : ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃)
Characteristic
Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
CES
CE= 600V, VGE= 0V
- - 1.0 mA
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
GES
GE= ±20V,VCE= 0V
- - 1.0 μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
CE(sat) = 50A,VGE= 15V
2.1 2.6
ゲ ー ト しきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
GE(th)
CE= 5V,I= 50mA
4.0
8.0
入力容量
Input Capacitance
ies
CE= 10V,VGE= 0V,f= 1MH
- 2,500 - pF
スイッチング時間
Switching Time
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Rise Time
Turn-on Time
Fall Time
Turn-off Time
on
off
CC= 300V
= 6.0Ω
= 20.0Ω
GE= ±15V
- 0.15 0.30
0.25 0.40
0.10 0.35
μs
- 0.35 0.70
□フリーホイーリングダイオードの 特 性: FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS(T=25℃)
Item
Symbol
Rated Value
Unit
順電流
Forward Current
DC
1ms
FM
50
100
Characteristic
順電圧
Peak Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
Symbol Test Condition
rr
= 50A,VGE= 0V
= 50A,VGE= -10V
di/dt= 100A/μs
□ 熱 的 特 性 : THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
熱抵抗
IGBT
Thermal Impedance
Diode
Symbol Test Condition
Rth(j-c)
Junction to Case
(Tc測定点チップ直下)
日本インター株式会社
Min.
Typ.
1.9
Max. Unit
2.4
- 0.15 0.25 μs
Min.
Typ.
Max.
0.50
1.10
Unit
℃/W
00




PCFMB50E6 pdf, 반도체, 판매, 대치품
PCFMB50E6
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
100 (Typical)
TC=25°C
TC=125°C
80
60
40
20
0
01234
Forward Voltage VF (V)
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
500
trr
IF=50A
TC=25°C
TC=125°C
200
100
50
20
10 IRrM
5
2
0 50 100 150 200 250 300
-di/dt (A/µs)
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=20(, VGE=±15V, TC<125°C
http://www.DataSheet4U.net/
200 400 600
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
800
1x101
3
1
3x10-1
1x10-1
3x10-2
1x10-2
3x10-3
10-5
Fig.16- Transient Thermal Impedance
FRD
IGBT
TC=25°C
1 Shot Pulse
10-4
10-3
10-2
10-1
1
101
Time t (s)
日本インター株式会社
00

4페이지












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