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7N70 데이터시트 PDF




Unisonic Technologies에서 제조한 전자 부품 7N70은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 7N70 자료 제공

부품번호 7N70 기능
기능 N-CHANNEL POWER MOSFET
제조업체 Unisonic Technologies
로고 Unisonic Technologies 로고


7N70 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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7N70 데이터시트, 핀배열, 회로
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
7N70
7 Amps, 700 Volts
N-CHANNEL POWER MOSFET
Power MOSFET
„ DESCRIPTION
The UTC 7N70 is a high voltage MOSFET and is designed to
have better characteristics, such as fast switching time, low gate
charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche
characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed
switching applications in power supplies, PWM motor controls, high
efficient DC to DC converters and bridge circuits.
„ FEATURES
* RDS(ON) = 1.5@VGS = 10 V
* Ultra low gate charge ( typical 30 nC )
* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 18 pF )
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness
„ SYMBOL
2.Drain
http://www.DataSheet4U.com/
1.Gate
3.Source
„ ORDERING INFORMATION
Order Number
Lead Free
Halogen Free
7N70L-TF3-T
7N70G-TF3-T
7N70L-TF1-T
7N70G-TF1-T
Package
TO-220F
TO-220F1
Pin Assignment
123
GDS
GDS
Packing
Tube
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2011 Unisonic Technologies Co., Ltd
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QW-R502-103,B




7N70 pdf, 반도체, 판매, 대치품
7N70
„ TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
Power MOSFET
D.U.T.
+
-
+
VDS
-
L
RG
VGS
Same Type
as D.U.T.
Driver
* dv/dt controlled by RG
* ISD controlled by pulse period
* D.U.T.-Device Under Test
VDD
VGS
(Driver)
ISD
(D.U.T.)
VDS
(D.U.T.)
Fig. 1A Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
http://www.DataSheet4U.com/
Period
P. W.
D= Period
VGS= 10V
IFM, Body Diode Forward Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
Body Diode Recovery dv/dt
VDD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Fig. 1B Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
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4페이지










7N70 전자부품, 판매, 대치품
7N70
„ TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
On-Resistance Variation vs. Drain
Current and Gate Voltage
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
VGS=20V
VGS=10V
Note: TJ=25
5 10 15 20 25
Drain Current, ID (A)
Power MOSFET
On State Current vs. Allowable Case
Temperature
10
150
25
1
Notes:
1. VGS=0V
2. 250µs Test
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Source-Drain Voltage, VSD (V)
http://www.DataSheet4U.com/
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
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