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부품번호 | KRA307E 기능 |
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기능 | (KRA307E - KRA309E) EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.
FEATURES
With Built-in Bias Resistors
Simplify Circuit Design
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process
High Packing Density.
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1
IN
R2
BIAS RESISTOR VALUES
TYPE NO. R1(k ) R2(k )
KRA307E
10
47
KRA308E
22
47
KRA309E
47
22
KRA307E~KRA309E
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
E
B
DIM MILLIMETERS
2
D
A 1.60+_ 0.10
B 0.85+_ 0.10
13
C 0.70+_ 0.10
D 0.27+0.10/-0.05
E 1.60+_ 0.10
G 1.00+_ 0.10
H 0.50
J 0.13+_ 0.05
J
1. COMMON (EMITTER)
2. IN (BASE)
3. OUT (COLLECTOR)
COMMON(+)
ESM
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
http://www.DataSheet4U.com/
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Output Voltage
KRA307E 309E
VO
KRA307E
Input Voltage
KRA308E
VI
KRA309E
Output Current
Power Dissipation
Junction Temperature
KRA307E 309E
IO
PD
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
RATING
-50
-30, 6
-40, 7
-40, 15
-100
100
150
-55 150
UNIT
V
V
mA
mW
MARK SPEC
TYPE
MARK
KRA307E
PH
KRA308E
PI
KRA309E
PJ
Marking
Type Name
2003. 12. 23
Revision No : 1
1/4
KRA307E~KRA309E
KRA307E
1k
VO =-5V
500
300
100
50
GI - IO
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
20
-1
-3 -10
-30
OUTPUT CURRENT I O (mA)
-100
KRA308E
1k
VO =-5V
500
300
100
50
GI - IO
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
20
-1
-3 -10 -30
OUTPUT CURRENT I O (mA)
-100
KRA309E
1k
VO =-5V
500
300
100
50
GI - IO
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
20
-1
-3 -10 -30
OUTPUT CURRENT I O (mA)
-100
http://www.DataSheet4U.com/
2003. 12. 23
Revision No : 1
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