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A1309A 데이터시트 PDF



특징 및 기능

Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 A1309A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

A1309A의 기능 및 특징 중 하나는 "PNP Transistor - 2SA1309A" 입니다.

일반적으로, Panasonic Semiconductor에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과
품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다.



PDF 형식의 A1309A 자료 제공

부품번호 A1309A 기능
기능 PNP Transistor - 2SA1309A
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


A1309A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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A1309A 데이터시트, 핀배열, 회로
Transistor
2SA1309A
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency amplification
Complementary to 2SC3311A
s Features
q High foward current transfer ratio hFE.
q Allowing supply with the radial taping.
q Optimum for high-density mounting.
4.0±0.2
Unit: mm
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
–60
–50
–7
–200
–100
300
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
marking
123
1.27 1.27
2.54±0.15
1:Emitter
2:Collector
3:Base
EIAJ:SC–72
New S Type Package
s Electrical Characteristics (Ta=25˚C)
Parameter
Symbol
Conditions
min typ max Unit
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
ICBO
ICEO
VCBO
VCEO
VEBO
hFE*
VCE(sat)
fT
Cob
VCB = –10V, IE = 0
VCE = –10V, IB = 0
IC = –10µA, IE = 0
IC = –2mA, IB = 0
IE = –10µA, IC = 0
VCE = –10V, IC = –2mA
IC = –50mA, IB = –5mA
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz
–60
–50
–7
160
–100 nA
–1 µA
V
V
V
460
– 0.3
V
80 MHz
3.5 pF
*hFE Rank classification
Rank
Q
hFE 160 ~ 260
R
210 ~ 340
S
290 ~ 460
1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/





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