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09N70P 데이터시트 PDF



특징 및 기능

Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 09N70P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.

09N70P의 기능 및 특징 중 하나는 "AP09N70P" 입니다.

일반적으로, Advanced Power Electronics에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과
품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다.



PDF 형식의 09N70P 자료 제공

부품번호 09N70P 기능
기능 AP09N70P
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


09N70P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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09N70P 데이터시트, 핀배열, 회로
AP09N70P/R
Advanced Power
Electronics Corp.
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼ Dynamic dv/dt Rating
▼ Repetitive Avalanche Rated
▼ Fast Switching
▼ Simple Drive Requirement
GG
D
D
S
S
BVDSS
RDS(ON)
ID
Description
AP09N70 series are specially designed as main switching devices for universal
90~265VAC off-line AC/DC converter applications.Both TO-220 and TO-262 G
type provide high blocking voltage to overcome voltage surge and sag in the D
toughest power system with the best combination of fast switching,ruggedized S
design and cost-effectiveness.
600/675V
0.75Ω
9A
TO-220(P)
The TO-220 and TO-262 package is universally preferred for all commercial-
industrial applications. The device is suited for switch mode power supplies
,DC-AC converters and high current high speed switching circuits.
G
D
S
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
- /A 600/675
± 30
ID@TC=25℃
ID@TC=100℃
IDM
PD@TC=25℃
EAS
IAR
EAR
TSTG
TJ
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
9
5
40
156
1.25
305
9
9
-55 to 150
-55 to 150
TO-262(R)
Units
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
℃
℃
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Thermal Resistance Junction-case
Rthj-a
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Value
0.8
62
Unit
℃/W
℃/W
Data & specifications subject to change without notice
200218032
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/




09N70P pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP09N70P/R
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
T c , Case Temperature ( C)
Fig 5. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
150
100
50
0
0 50 100 150
Tc , Case Temperature( o C)
Fig 6. Typical Power Dissipation
100 1
10
1
T c =25 o C
Single Pulse
10us
100us
1ms
10ms
100ms
0.1
1
10 100 1000
V DS (V)
10000
DUTY=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance

4페이지












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다운로드[ 09N70P.PDF 데이터시트 ]

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부품번호상세설명 및 기능제조사
09N70P

AP09N70P

Advanced Power Electronics
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