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N0601N 데이터시트 PDF




Renesas에서 제조한 전자 부품 N0601N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 N0601N 자료 제공

부품번호 N0601N 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 Renesas
로고 Renesas 로고


N0601N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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N0601N 데이터시트, 핀배열, 회로
N0601N
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING
Preliminary Data Sheet
R07DS0557EJ0100
Rev.1.00
Nov 07, 2011
Description
The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
Low on-state resistance
RDS (on) = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)
Low input capacitance
Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
High current
ID(DC) = ±100 A
RoHS Compliant
Ordering Information
Part No.
N0601N-ZK-E1-AY 1
N0601N-ZK-E2-AY 1
Lead Plating
Pure Sn (Tin)
Packing
Tape
800 p/reel
Note: 1. Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode.)
Package
TO-263
1.39 g TYP.
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, all terminals are connected)
Item
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse) 1
Total Power Dissipation (TC = 25°C)
Total Power Dissipation (TA = 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current 2
Single Avalanche Energy 2
Symbol
VDSS
VGSS
ID(DC)
ID(pulse)
PT1
PT2
Tch
Tstg
IAS
EAS
Ratings
60
±20
±100
±400
156
1.5
150
55 to +150
55
300
Unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
Thermal Resistance
Channel to Case (Drain) Thermal Resistance Rth(ch-C)
Channel to Ambient Thermal Resistance 2
Rth(ch-A)
0.80
83.3
°C/W
°C/W
Notes: 1. PW 10 μs, Duty Cycle 1%
2. Starting Tch = 25°C, RG = 25 Ω, VDD = 30 V, VGS = 20 0 V, L = 100 μH
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00
Nov 07, 2011
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N0601N pdf, 반도체, 판매, 대치품
N0601N
400
300
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VGS = 10 V
200
100
Pulsed
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
VDS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3
2
1
VDS = 10 V
ID = 1.0 mA
0
-50 0 50 100 150
Tch - Channel Temperature - °C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
VGS = 10 V
8
6
4
2
Pulsed
0
1 10
100
ID - Drain Current - A
1000
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00
Nov 07, 2011
Chapter Title
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
100
TA = 125°C
10 75°C
25°C
25°C
1
0.1
0.01
VDS = 10 V
Pulsed
0.001
012345
VGS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs. DRAIN
CURRENT
100
TA = 125°C
75°C
10
25°C
25°C
1
0.1
0.01
0.01
VDS = 10 V
Pulsed
0.1 1 10 100
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
25
ID = 50 A
Pulsed
20
15
10
5
0
0 5 10 15 20
VGS - Gate to Source Voltage - V
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N0601N 전자부품, 판매, 대치품
Revision History
N0601N Data Sheet
Rev.
1.00
Date
Nov 07, 2011
Page
First Edition Issued
Description
Summary
All trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners.
C-1
Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/

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